[发明专利]一种用于毫米波段的双工器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于毫米波段的双工器制备方法，其特征在于，包括：

根据预设的滤波器波导结构的高度确定硅片的层数，通过深层反应离子刻蚀DRIE技术将每层所述硅片进行刻蚀加工得到刻蚀后的硅片；

通过键合技术将所述刻蚀后的硅片进行键合形成三维堆栈式结构，以及通过深层微电铸技术对所述三维堆栈式结构进行金属电铸，并在电铸后去除硅片得到由金属组成的微复制模具；

根据所述微复制模具对塑料进行加工得到波导腔体，以及在所述波导腔体内壁电镀金属层得到双工器；

根据所述微复制模具对塑料进行加工得到波导腔体，包括：

根据所述微复制模具对塑料进行热模压加工，制造出波导腔体的上腔体结构或下腔体结构；

在所述上腔体或下腔体结构中溅射一层金属铬种子层，并将所述上腔体结构与所述下腔体结构合模得到所述波导腔体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过深层反应离子刻蚀DRIE技术将每层所述硅片进行刻蚀加工得到刻蚀后的硅片，包括：

通过所述DRIE技术对设置于所述三维堆栈式结构底层的第一硅片进行单面蚀刻，对所述三维堆栈式结构中第一硅片之上的至少一个第二硅片进行双面蚀刻，以使得将所述第二硅片刻穿。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述波导腔体内壁电镀金属层得到双工器，包括：

根据预设的双工器的工作频率、电导率以及磁导率计算趋肤深度，并根据所述趋肤深度确定所述波导腔体内壁电镀金属层的厚度；

根据所述厚度在所述波导腔体内壁电镀金属层得到所述双工器。

4.一种用于毫米波段的双工器，所述双工器为通过如权利要求1~3任一项所述的制备方法所制备的双工器，其特征在于，包括：波导腔体以及涂覆在所述波导腔体内壁的金属层；其中，

所述波导腔体包括T型接头波导以及设置于所述T型接头波导分支上的两个滤波器波导；在所述T型接头波导上与公共端口相对的位置设置有补偿匹配结构，所述补偿匹配结构为金属膜片或劈尖结构；所述两个滤波器波导相对设置且所处的平面与波导腔体中磁场平面相同。

5.如权利要求4所述的双工器，其特征在于，所述T型接头波导和所述两个滤波器波导为一体化设置。

6.如权利要求5所述的双工器，其特征在于，所述滤波器波导内壁均匀设置有多个感性膜片，所述多个感性膜片与所述滤波器波导为一体化设置。

7.如权利要求4所述的双工器，其特征在于，所述波导腔体为塑料材质。