[发明专利]一种片层状纳米羟基氧化钴及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种片层状纳米羟基氧化钴的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将碱性溶液与钴源溶液混合，在预定温度条件下反应，得到氢氧化钴；

在碱性条件，利用过硫酸氨或过氧化氢将所述氢氧化钴氧化，得到片层状纳米羟基氧化钴；所述在碱性条件，利用过硫酸氨或过氧化氢将所述氢氧化钴氧化，得到片层状纳米羟基氧化钴的步骤，具体包括：

在氢氧化钠溶液中，加入过硫酸氨或过氧化氢以及所述氢氧化钴，得到混合溶液；

调节所述混合溶液的pH，使所述混合溶液呈碱性，在碱性条件下反应10-20小时，得到片层状纳米羟基氧化钴；

所述在氢氧化钠溶液中，加入过硫酸氨或过氧化氢以及所述氢氧化钴，得到混合溶液的步骤中，氢氧化钠溶液的温度为25-100℃；

所述碱性溶液的浓度为0.01-1.0mol/L；

所述钴源溶液的浓度为0.01-1.0mol/L；

所述碱性溶液与所述钴源溶液的浓度比为3-8:1。

2.如权利要求1所述的片层状纳米羟基氧化钴的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中的碱性物质为六亚甲基四胺、氢氧化钠、氢氧化钾和氨水中的任一种。

3.如权利要求1所述的片层状纳米羟基氧化钴的制备方法，其特征在于，所述钴源溶液中的钴源为六水合氯化钴、六水合硫酸钴和硝酸钴中的任一种。

4.如权利要求1所述的片层状纳米羟基氧化钴的制备方法，其特征在于，所述预定温度为85-140℃。

5.一种片层状纳米羟基氧化钴，其特征在于，采用如权利要求1-4任一所述的制备方法制备得到。

6.一种如权利要求5所述的片层状纳米羟基氧化钴作为锂离子电池负极材料的应用。