[发明专利]一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池

权利要求书

1.一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，包括以下步骤：

步骤101、对硅片进行前处理、清洗；

步骤102、硅片装舟：将硅片装载在石英舟上，其中，将两个硅片靠在一起装入石英舟的一个槽位中，将待氧化面暴露于炉管氛围中；

步骤103、进舟氧化：常压进舟，氮气吹扫，恒温，检漏，通气常压或微正压或微负压氧化，常压出舟；

所述常压进舟的步骤包括：设置炉管压力为常压，炉内通入氮气流量为2200-2800sccm，进舟时间为5-10min；

所述步骤103中，通气常压或微负压或微正压氧化包括采用纯氧为氧化气体或者采用氮气与氧气的混合气体为氧化气体；

所述步骤103中，采用纯氧为氧化气体进行氧化的步骤包括：在炉管中通入纯的氧气，当炉内的压力达到微正压状态时关闭炉管的进气口和排气口，保持5-90min；微正压状态是指炉管压力范围为1010-1200mbar；

所述步骤103中，采用氮气与氧气的混合气体为氧化气体进行氧化的步骤包括：维持炉管压力范围为800-1200mbar。

2.根据权利要求1所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述常压进舟的步骤包括：氧化管温区设置温度在550-660℃。

4.根据权利要求3所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氮气吹扫的步骤包括：设置炉管压力范围为800-1200mbar，通入氮气流量为1500-2500sccm进行吹扫；控制每个氧化管温区的温度为560-640℃。

5.根据权利要求1所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述步骤103中，采用氮气与氧气的混合气体为氧化气体进行氧化的步骤包括：每个氧化管温区的温度设置值相同，温度设置值为560-640℃，通入氮气流量范围为4000-20000sccm，通入氧气流量范围为：1000-10000sccm，氧化时间为1-90min。

6.一种遂穿氧化钝化接触电池，其特征在于，所述遂穿氧化钝化接触电池的遂穿氧化层采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备。