[发明专利]量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件在审
| 申请号： | 202010895937.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112442371A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金星祐;J.A.金;金泰亨;朴建洙;元裕镐;李晶姬;张银珠;章效淑;韩用锡;郑希在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 制造 方法 包括 点群 电致发光 器件 | ||
1.量子点，包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上的半导体纳米晶体壳，所述壳包括锌、硒和硫，
其中所述量子点不包括镉，并且配置为发射蓝色光，和
在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于0.8:1。
2.如权利要求1所述的量子点，其中通过所述量子点的透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样包括闪锌矿结构的(100)面。
3.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大发光峰波长大于或等于430纳米且小于或等于480纳米。
4.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点的最大发光峰具有小于或等于25纳米的半宽度。
5.如权利要求1所述的量子点，其中所述锌硫属化物包括锌和硒、以及任选地碲。
6.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于0.8:1。
7.如权利要求1所述的量子点，其中在所述量子点中，硒相对于锌的摩尔比小于或等于0.7:1。
8.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳具有在径向上变化的组成。
9.如权利要求1所述的量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括直接设置在所述芯上的第一壳层和设置在所述第一壳层上的外部壳层，其中所述第一壳层包括具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成的第二半导体纳米晶体，和
所述外部壳层包括具有与所述第二半导体纳米晶体不同的组成的第三半导体纳米晶体。
10.如权利要求9所述的量子点，其中所述第二半导体纳米晶体包括锌和硒、以及任选地碲和硫的至少一种，和
所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫。
11.如权利要求9所述的量子点，其中所述外部壳层为所述量子点的最外层。
12.如权利要求9所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体包括ZnTexSe1-x，其中，x大于0且小于或等于0.05，所述第二半导体纳米晶体包括锌和硒，且所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫。
13.如权利要求9所述的量子点，其中所述第一半导体纳米晶体具有比所述第二半导体纳米晶体的能带隙小的能带隙，和所述第二半导体纳米晶体具有比所述第三半导体纳米晶体的能带隙小的能带隙。
14.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点进一步包括氟和任选地氯。
15.如权利要求1所述的量子点，其中所述缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于0.5:1。
16.如权利要求14所述的量子点，其中所述缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于0.4:1。
17.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点在所述芯中不包括III-V族化合物。
18.如权利要求1所述的量子点，其中所述量子点具有大于或等于80％的量子效率。
19.量子点群，其包括多个如权利要求1-18任一项所述的量子点，其中所述量子点的平均颗粒尺寸小于或等于18nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010895937.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
