[发明专利]晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法及其装置

权利要求书

1.一种晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法，包括以下步骤：

步骤一、检测晶圆硅片(01)表面凸起(02)的高度并确定一个最大值H；

步骤二、在需要键合的晶圆硅片表面第一次沉积氧化物(03)第一厚度δ1；

步骤三、将第一次沉积氧化物第一厚度δ1的晶圆硅片表面进行第一次研磨，研磨至氧化物第一余留厚度δ2，并再次检测到第一余留凸起高度h₁；

步骤四、对经过研磨后的晶圆硅片表面进行第二次沉积形成氧化物第二厚度δ3；

步骤五、将经过第二次沉积后的晶圆硅片表面进行第二次研磨，研磨至氧化物第二余留厚度δ4，再次检测第二余留凸起高度h₂；

步骤六、至少重复上述步骤二至步骤五的循环过程一次，直至晶圆硅片表面经检测经过n次氧化物沉积和相应n次研磨后的第n余留厚度δ2n与第n余留凸起高度h_n的关系为δ2n≥h_n。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法，其特征在于，所述第一次沉积的积氧化物第一厚度δ1为凸起最大值H的15％--30％，第一次研磨至的氧化物第一余留厚度δ2为氧化物第一厚度δ1的30％-45％，再次检测的第一余留凸起高度h₁＞δ2，第二次沉积形成的氧化物第二厚度δ3＞h_1,第二次研磨后形成的氧化物第二次余留厚度δ4≥h₂。

3.根据权利要求2所述的晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法，其特征在于，检测晶圆硅片表面凸起的高度并确定一个最大值H＝11um，所述第一次沉积形成的氧化物第一厚度δ1＝2um，第一次研磨至氧化物第一余留厚度δ2＝0.7um，再次检测的第一余留凸起高度h₁＝0.9um，第二次沉积形成的氧化物第二厚度δ3＝2um_,第二次研磨后形成的氧化物第二次余留厚度δ4＝1.2um，检测第二余留凸起高度h₂＝0.9um，δ4＞h₂。

4.根据权利要求1-3之一所述的晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法，其特征在于，所述氧化物的沉积采取化学气相沉积法。

5.根据权利要求1-3之一所述的晶圆键合工艺中预防空洞缺陷的方法，其特征在于，所述检测方法为切片检测法。

6.一种实现晶圆键合工艺中预防空洞缺陷方法的装置，包括：

检测装置(06)，对晶圆硅片(01)表面凸起(02)进行检测；

氧化物沉积装置(07)，能够在晶圆硅片表面沉积一定厚度的氧化物(03)；

研磨装置(08)，对晶圆硅片(01)表面进行研磨；

控制系统(04)，设置通信接口(05)分别与所述检测装置(06)、氧化物沉积装置(07)、研磨装置(08)连接，通过内置能够执行所述权利要求1步骤的控制软件(09)对所述检测装置(06)、氧化物沉积装置(07)、研磨装置(08)传输指令进行控制。

7.根据权利要求6所述的实现晶圆键合工艺中预防空洞缺陷方法的装置，其特征在于，所述通信接口包括有线接口和无线接口。

8.根据权利要求6所述的实现晶圆键合工艺中预防空洞缺陷方法的装置，其特征在于，所述氧化物沉积装置为化学气相沉积装置。