[发明专利]微型发光二极管显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202010893704.1 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN111969003A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 罗玉云;吴柏威;史诒君;丁子钰;廖冠咏 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种微型发光二极管显示装置及其制造方法,其中微型发光二极管显示装置包含微型发光单元、基板及导电层组。微型发光单元包含多个微型发光元件。微型发光元件包含半导体层组及电极组。半导体层组包含第一型半导体层及第二型半导体层。电极组包含第一型电极及第二型电极,第一型电极与第二型电极分别与第一型半导体层及第二型半导体层连接。导电层组包含第一型导电层与第二型导电层,第一型导电层与第一型电极连接,第二型导电层与第二型电极连接。微型发光单元设置于基板上,电极组朝向基板,且电极组与基板具有一间距。借此,降低在制造过程中的微型发光元件损坏率。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,特别涉及一种微型发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
现今的显示装置产业中,发光二极管显示器正逐渐成为主流趋势,其中微型发光二极管显示器更是目前的研发重点。然而,当前的微型发光二极管显示器工艺中仍存在待克服的技术难题。
微型发光二极管显示器工艺中需自晶圆转移巨量的发光二极管至面板,在转移的过程中容易发生部分发光二极管掉落或是无法准确地安装在面板上等问题。由此可知,目前产业中缺乏一种可准确对位、降低发光二极管毁损率的微型发光二极管显示装置及其制造方法。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种微型发光二极管显示装置及其制造方法,其先在微型发光单元的微型发光元件上设置导电层组,再将微型发光单元设置于基板,借此降低本发明的微型发光二极管显示装置在制造过程中的微型发光元件损坏率,同时可避免巨量转移时微型发光元件与导电层组无法准确对位的问题。
依据本发明的结构样式的一实施方式提供一种微型发光二极管显示装置,包含微型发光单元、导电层组及基板。微型发光单元包含多个微型发光元件。每一微型发光元件包含半导体层组及电极组。半导体层组包含第一型半导体层、发光层及第二型半导体层。电极组包含第一型电极及第二型电极,第一型电极与第二型电极分别与第一型半导体层及第二型半导体层电性连接。导电层组包含第一型导电层与第二型导电层,第一型导电层与第一型电极电性连接,第二型导电层与第二型电极电性连接。微型发光单元设置于基板上,电极组朝向基板且与基板具有一间距。
借此,本发明的微型发光二极管显示装置将导电层组设置于微型发光元件,可避免巨量转移时微型发光元件与导电层组无法准确对位的问题。
前述实施方式的其他实施例如下:前述微型发光二极管显示装置还包含色转换层组,色转换层组设置于微型发光单元的一侧,并用以转换各微型发光元件所产生的光线的颜色。
前述实施方式的其他实施例如下:前述微型发光单元还包含绝缘层,绝缘层设置于导电层组及半导体层组之间,并用以隔绝导电层组及各半导体层组。
前述实施方式的其他实施例如下:前述多个微型发光元件通过绝缘层相互固定。
前述实施方式的其他实施例如下:前述基板为显示基板,显示基板包含显示区及非显示区。显示区设置于微型发光单元的另一侧。非显示区设有连接器与工作电路,工作电路通过连接器与控制装置电性连接。
前述实施方式的其他实施例如下:前述微型发光二极管显示装置还包含隔离层,隔离层连接于导电层组与基板之间,且用以隔离导电层组及基板。
前述实施方式的其他实施例如下:前述多个微型发光元件排列成矩阵,矩阵包含多行及多列,各行与各列互相垂直。
前述实施方式的其他实施例如下:前述排列于多行的部分多个微型发光元件的多个第一型电极与第一型导电层连接,排列于多列的部分多个微型发光元件的多个第二型电极与第二型导电层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的