[发明专利]等离子体处理装置和温度控制方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明，能够形成品质优良的膜。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和温度控制方法。

背景技术

在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，在650℃下形成Ti膜后，降温至200～300℃，然后，将NF₃气体等导入处理容器内进行清洁处理。在清洁处理完成后，再次升温至650℃，开始进行Ti膜的成膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1；日本特开平11-16858号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

希望一种能够形成与现有技术相比品质优良的膜的等离子体处理装置及其温度控制方法。

用于解决问题的技术手段

在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。

发明效果

依照一个例示的实施方式的等离子体处理装置及其温度控制方法，能够形成品质优良的膜。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的等离子体处置装置的装置结构的说明图。

图2是等离子体处理装置的上部结构的立体图。

图3是等离子体处理装置的上部结构的俯视图。

图4是等离子体处理装置的上部结构的底视图。

图5是微波辐射机构的纵截面图。

图6是上部加热源的俯视图。

图7是另一上部加热源的俯视图。

图8是等离子体处理装置的另一上部结构的俯视图。

图9是等离子体处理装置的又一上部结构的俯视图。

图10是等离子体处理装置的系统构成图。

图11是表示温度随时间的变化的时序图。

图12是表示一个例示的实施方式的等离子体处置装置的装置结构的说明图。

附图标记说明

1……处理容器，3……盖部件，4……排气通路，6……下部电极，8……透明窗，10……气源，11……流量控制器，12……控制器，13……高频发生器，14……排气装置，20……支承基片，21……发光半导体芯片，22……间隔件，63……微波辐射机构，66……外侧导体，67……内侧导体，71……平面天线，71a……隙缝，72……微波延迟部件，73……电介质窗，74A……块状件，74B……块状件，104……上部金属板，DRV……驱动机构，GH……气孔，LH……上部加热源，LS……载置台，SP……等离子体生成空间，TEMP……下部加热源，W……基片。

具体实施方式

下面，对各种例示的实施方式进行说明。

在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括：设置于处理容器的上部的多个微波辐射机构；配置于处理容器内的载置台；设置于载置台内的下部加热源；和配置于与载置台相对的位置的上部加热源。