[发明专利]一种AgInSe2

说明书

本发明提供了一种AgInSe₂‑CdSe核壳量子点的制备方法，属于量子点的制备技术领域。在该发明过程中，利用两步水热法，首先通过水热法合成了AgInSe₂量子点核，其中AgInSe₂量子点的合成需要在氩气饱和条件下通过高温反应制得，AgInSe₂‑CdSe核壳结构的制备利用水热法，首先制备Se前驱体溶液，然后将离散量的Cd²⁺和NaHSe故意添加到了制备的AgInSe₂的脱气水溶液中，最后通过正丙醇沉淀，制得AgInSe₂‑CdSe核壳量子点。该方法制得的AgInSe₂‑CdSe核壳量子点形貌规整，尺寸均一，在有机溶剂中具有良好的分散性,在光电化学中具有较好的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种AgInSe₂-CdSe核壳量子点的制备方法，属于量子点制备技术领域，特别涉及到一种AgInSe₂量子点和CdSe量子点的复合制备方法。

背景技术

近年来，半导体量子点仍然是科学界关注的焦点。从基础科学的角度来看，量子点研究的最初方向主要集中在尺寸控制和与尺寸依赖性有关的现象上。研究的重点逐渐转向实现对量子点特性的更精细控制。重要的进展包括控制形状，量子点的表面，以及将其自组装成更实用的结构。半导体量子点研究的这些重要发展开辟了许多应用。尽管这些研究领域继续重要和相关，但量子点研究的下一个前沿领域将集中在这些量子点的内部，特别是外来原子如何影响电子。如预期的那样，在半导体量子点中掺入掺杂剂将在限制量子点特性方面起关键作用。掺杂使操纵量子点（n型和p型材料）的导电性成为可能，这将有助于创建基于量子点的p-n结。这项研究的关键组成部分是寻找方法来克服挑战并了解掺杂包括量子点在内的纳米粒子的潜在机理。

量子点由于具有较低的毒性和相似的出色光电性能，因此受到越来越多的关注。通常，单组分量子点由于表面缺陷，它们可能会发生团聚现象。核壳量子点不仅可以改善这种现象，而且还具有一些新的优越性能。令人兴奋的是，具有独特的核-壳结构的AgInSe₂和CdSe的复合物，由于其无与伦比的光电特性（如阻性电荷复合，超快电荷分离）而可以用作有吸引力的敏化剂，并具有广泛的光吸收性。基于量子点的核-壳结构，量子点的最小能价带孔集中在核上，而最低能导带电子主要局限于壳内。这种空间分离可以实现超快的电子转移，并阻碍电荷复合过程。此外，具有核壳结构的量子点还可以访问比单个量子点更长的波长，例如CdTe，硫化镉（CdS）和硒化银（Ag₂Se）量子点。

发明内容

本发明所要解决的是一种AgInSe₂-CdSe核壳量子点的制备方法，具体是利用两步水热法,首先合成AgInSe₂量子点核，然后通过水热法制备AgInSe₂-CdSe核壳结构，得到AgInSe₂-CdSe核壳复合量子点，本发明所用试剂与设备均价廉易得，材料制备方法简单，反应条件温和，是一种绿色环保的复合量子点制备方法，其特征是包括以下步骤：

(1) AgInSe₂量子点的制备：通过在室温下于氩气饱和条件下将1.0 mmol SeO₂和2.0mmol NaBH₄溶解在5 mL去离子水中10 min来制备Se前体，将该新鲜制备的0.8 mL Se前体溶液添加至15.0 mL的含有0.01 mmol AgNO₃，In(NO)₃和柠檬酸钠的摩尔比为1：6：14的去离子水中，然后将混合物溶液密封在30 mL微波反应瓶中，随后，将小瓶在160 °C下装入最大磁控管输出功率为850 W的单模微波反应器中10 min，反应结束后，将水溶液通过孔径为0.22 mm的微孔膜通过硅胶过滤，然后通过添加过量的异丙醇并在转速为6000 rpm下离心15 min来收集制得的AgInSe₂量子点；