[发明专利]基于Mxene的宽频和广角完美吸收体及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Mxene的宽频和广角完美吸收体，其特征在于，为设在基底上的多层结构，所述多层结构从下至上依次为Mxene背板层、间隔层和金纳米颗粒层；

所述Mxene背板层的厚度为100～500nm；所述间隔层的厚度为10～100nm；所述金纳米颗粒层为单层随机排列的不同形状和大小的金纳米颗粒，所述金纳米颗粒的粒径为20～100nm；

所述金纳米颗粒层覆盖所述间隔层的覆盖率为65～85％。

2.根据权利要求1所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体，其特征在于，所述间隔层为绝缘体或半导体，选用聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、二氧化硅或二氧化钛。

3.根据权利要求2所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体，其特征在于，所述基底为SiO₂/Si基底。

4.根据权利要求3所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体，其特征在于，在300～1800nm波长范围内，所述完美吸收体的吸光度大于90％，且不依赖入射光角度。

5.权利要求1～4任一项所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体的制备方法，其特征在于，包括：

将各层原料先分别配制成溶液，再在基底上采用旋涂或滴涂的方式依次制备形成Mxene背板层、间隔层和金纳米颗粒层。

6.根据权利要求5所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体的制备方法，其特征在于，先采用原位刻蚀方法制备得到Mxene粉末，然后将其溶于水配制成溶液，再旋涂在基底上形成所述Mxene背板层。

7.根据权利要求5所述的基于Mxene的宽频和广角完美吸收体的制备方法，其特征在于，先采用种子介导的生长方法制备得到金纳米颗粒，然后将其分散于水中形成溶液，再滴涂至所述间隔层的表面上。