[发明专利]一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，包括最下方设置有基板(1)，其特征在于，所述基板(1)上设有导电电极层(2)，还包括自下而上依次设置有电子传输层(3)、活性层(4)、空穴传输层(5)、金属电极层(6)，所述基板(1)包括塑料基板、不锈钢基板、超薄玻璃基板、纸质基板、生物复合薄膜基板中的任意一种；

其制备方法，包括以下步骤：

a.清洗基板(1)，烘干后紫外线氧化处理；b.在基板(1)上旋涂电子传输层(3)，退火备用；c.将器件移到手套箱环境中，将有机给受体溶液旋涂于电子传输层(3)上，形成活性层(4)，退火之前设置好退火的转速、温度和时间，退火备用；d.在活性层(4)上旋涂一层空穴传输层(5)，退火备用；e.在空穴传输层(5)上蒸镀银电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，其特征在于，所述导电电极层(2)的原料为氧化铟锡(ITO)、金、银、铝、铜、银纳米线、钙和导电高分子薄膜，所述导电电极层(2)的厚度为2～30nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层(3)中掺杂P型半导体纳米粒子，所述电子传输层(3)原料组成为PC₆₁BM、ZnO、TiO2、SnOx、PFN、PEIE和PANIO中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，其特征在于，所述活性层(4)为有机给受体材料体异质结PBDB-T:ITIC、PM6:Y6、PBDB-T:IT4F、PBTTT:PCBM，P3HT:PCBM，C60:CuPc,所述活性层(4)的厚度为100nm-200nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层(5)中掺杂N型半导体，掺杂包括砷、磷和锑，所述空穴传输层(5)原料组成为PEDOT:PSS、CuSCN、CuI和NiOm任意一种，m＝2或4。

6.根据权利要求1所述的一种基于旋转退火工艺的有机太阳能电池，其特征在于，所述金属电极层(6)的原料组成为氧化铟锡(ITO)、金、银、铜、铝、银纳米线任意一种，所述金属电极层(6)的厚度为50～150nm。