[发明专利]半导体结构

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；焊盘，所述焊盘位于所述第一面；热传递层，所述热传递层位于所述第一面，且所述热传递层与所述焊盘接触；凹槽，所述凹槽位于所述半导体基底内，且所述凹槽与所述热传递层连通。本发明实施例提供的一种半导体结构，有利于解决半导体结构散热能力差和半导体结构中焊盘局部温度过高的问题。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种半导体结构。

背景技术

随着集成电路不断的改进、发展，体积不断的减小，在功能上则不断的提升，而在提升功能的同时，集成电路所需要的芯片数量越来越多、半导体封装的集成度和整合度逐步增强，对于半导体的散热管理便成为集成电路与半导体封装制程中十分重要的设计重点。由于芯片嵌入在散热能力不良的有机材料内部，热量无法快速散出可能会造成系统性能下降甚至完全失效。

在堆叠封装半导体结构中，散热性能尤为重要。由于目前各种散热技术都无法有效传导或消散焊盘的热量，导致半导体封装结构中局部温度峰值过高，且对整个半导体封装结构的可靠性产生负面影响。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构，用于解决半导体结构散热能力差和半导体结构中焊盘局部温度过高的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；焊盘，所述焊盘位于所述第一面；热传递层，所述热传递层位于所述第一面，且所述热传递层与所述焊盘接触；凹槽，所述凹槽位于所述半导体基底内，且所述凹槽与所述热传递层连通。

另外，所述凹槽沿垂直所述半导体基底的方向贯穿所述半导体基底；或者，所述凹槽为位于所述半导体基底内的盲孔。

另外，所述凹槽为位于所述半导体基底的盲孔，所述半导体结构还包括：连通孔，所述连通孔位于所述半导体基底内且所述连通孔的延伸方向与所述凹槽的延伸方向不同，所述半导体基底暴露出所述连通孔的一端，且所述连通孔的另一端与所述凹槽相连通。

另外，所述热传递层与所述焊盘的侧面相接触。

另外，所述热传递层与所述焊盘朝向所述第二面的底面相接触。

另外，所述热传递层的材料为绝缘材料。

另外，热传递层的材料包括：导热硅胶、导热绝缘弹性橡胶或导热填充胶。

另外，所述热传递层覆盖所述凹槽的一端。

另外，所述凹槽的数量为多个，且同一所述热传递层与多个所述凹槽连通。

另外，还包括：导热层，所述导热层位于所述凹槽内，且所述导热层的体积小于所述凹槽的容积。

另外，所述导热层为金属材料。

另外，所述半导体基底包括中间区域以及环绕所述中间区域的边缘区域，所述凹槽包括：位于所述中间区域的第一凹槽，位于所述边缘区域的第二凹槽，且所述第一凹槽贯穿所述半导体基底，所述第二凹槽为位于所述半导体基底内的盲孔。

另外，还提供一种半导体封装结构，其特征在于，包括多个依次堆叠设置的上述任一所述的半导体结构。

另外，多个所述半导体结构的多个所述凹槽相连通。

另外，多个所述半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构；所述第二半导体结构还包括位于所述第二半导体结构第二面的焊盘；所述第一半导体结构第一面的焊盘和所述第二半导体结构第二面的焊盘相连接。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：