[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成功函数层，形成所述功函数层的步骤包括一个或多个沉积退火处理，所述沉积退火处理包括：

在所述基底上形成单层膜；

对所述单层膜进行退火处理。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，通入提纯气体。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，通入NH₃。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺在所述基底上形成所述单层膜。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成单层膜的步骤中，所述单层膜的厚度为至

6.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述单层膜的材料包括TiAl、TiN、TaN、TiC、TiSiN或TaC。

7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火工艺或激光退火工艺对所述单层膜进行退火处理。

8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，工艺温度为450摄氏度至550摄氏度。

9.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，腔室压强小于10Torr。

10.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，工艺时间为5秒至90秒。

11.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在真空环境中进行所述沉积退火处理。

12.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述单层膜进行退火处理的步骤中，所述单层膜中的Cl元素的原子百分比低于0.5％。

13.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述功函数层后，在所述功函数层上形成阻挡层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：TaN、Ta、Ti、TiN、ZrN和ZrTiN中的一种或多种。

15.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤包括：

提供衬底和位于所述衬底上的鳍部；

形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁；

在所述伪栅结构两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂层；

形成覆盖所述源漏掺杂层和所述伪栅结构侧壁的层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构的顶部；

形成所述层间介质层后，去除所述伪栅结构，形成栅极开口；

在所述基底上形成功函数层的步骤中，所述功函数层形成在所述栅极开口的侧壁和底面。