[发明专利]改善通孔刻蚀残留的方法

权利要求书

1.一种改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，在金属硬质掩模一体化刻蚀之后，包括：

对刻蚀腔体的侧壁进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的金属副产物及非金属副产物游离；

向所述刻蚀腔体内通入第一反应气体，所述第一反应气体与所述金属副产物反应后生成第一反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；

对所述刻蚀腔体的侧壁再次进行轰击，以使所述刻蚀腔体内的所述非金属副产物游离；

向所述刻蚀腔体内通入第二反应气体，所述第二反应气体与所述非金属副产物反应后生成第二反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上；

对所述第一反应物及所述第二反应物的表面进行处理，以修复所述刻蚀腔体的内环境。

2.如权利要求1所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，采用等离子体工艺对所述刻蚀腔体的侧壁进行轰击。

3.如权利要求2所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述等离子体工艺的工艺气体包括氩气。

4.如权利要求1所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述金属副产物的组成元素包含钛、铜、钨或钴中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述第一反应气体为还原性气体。

6.如权利要求5所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述还原性气体包括一氧化碳、甲烷、一氧化硫或硫化氢中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述非金属副产物的组成元素包含碳、氟、氧或氮中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述第二反应气体为长碳链气体。

9.如权利要求8所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述长碳链气体包括二氟甲烷、甲烷或二氧化碳中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，对所述第一反应物及所述第二反应物的表面进行处理的步骤包括：

向所述刻蚀腔体内通入第三反应气体，所述第三反应气体刻蚀所述第一反应物及所述第二反应物的表面使其平整。

11.如权利要求10所述的改善通孔刻蚀残留的方法，其特征在于，所述第三反应气体包括八氟环丁烷、六氟丁二烯和四氟化碳中的一种或多种。