[发明专利]一种MEMS结构在审

专利信息
申请号: 202010881828.8 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN111866684A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 刘端;李冠华;夏永禄 申请(专利权)人: 安徽奥飞声学科技有限公司
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01;H04R19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230092 安徽省合肥市合肥市高新区习友路33*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 结构
【权利要求书】:

1.一种MEMS结构,其特征在于,包括:

衬底,具有空腔;

振动支撑层,形成在所述衬底上方并且覆盖所述空腔;

第一电极层,形成于所述振动支撑层上方;

压电层,形成于所述第一电极层上方;

第二电极层,形成在所述压电层上方,所述第一电极层和所述第二电极层中的一个具有周向的第一分割槽和径向的第二分割槽,以将所述第一电极层和所述第二电极层中的所述一个分割成分隔开的中间区域和外围区域,所述第一电极层和所述第二电极层中的另一个具有相连的中间区域和外围区域。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层在径向上均具有所述第二分割槽,并且所述第二分割槽将所述第一电极层和所述第二电极层的所述中间区域和所述外围区域均分割成分隔开的相对应的至少两个等分区,在每个等分区内,所述第一电极层和所述第二电极层中的一个的所述中间区域和所述外围区域相连,所述第一电极层和所述第二电极层中的另一个的所述中间区域和所述外围区域分隔开。

3.根据权利要求2所述的MEMS结构,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的第一等分区的所述外围区域经第一导线向外延伸并且所述第一导线作为所述MEMS结构的一个端子;

所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的所述第一等分区的所述中间区域通过第二导线连接所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的第二等分区的所述外围区域以实现串联,所述第一等分区与所述第二等分区相邻,并且通过多个所述第二导线依次重复连接相邻两个等分区;

所述第一电极层和所述第二电极层中的所述另一个的最后等分区的所述中间区域经第三导线向外延伸并且所述第三导线作为所述MEMS结构的另一个端子。

4.根据权利要求3所述的MEMS结构,其特征在于,所述第三导线在所述第二分割槽内向外延伸。

5.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述第一分割槽的正下方的所述振动支撑层具有平坦上表面,所述MEMS结构还包括通孔,所述通孔在所述第一分割槽内贯穿延伸至所述空腔,所述第一分割槽的投影区域在所述空腔的投影区域内。

6.根据权利要求5所述的MEMS结构,其特征在于,所述通孔呈周向排列。

7.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述第一分割槽的正下方的所述振动支撑层具有波浪形褶皱部分,所述波浪形褶皱部分位于所述中间区域和所述外围区域之间。

8.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述MEMS结构还包括阻挡层,所述阻挡层形成在所述衬底和所述振动支撑层之间。

9.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述MEMS结构包括压电式MEMS传感器。

10.根据权利要求1所述的MEMS结构,其特征在于,所述MEMS结构包括隔离层,所述隔离层形成于所述第一电极层与所述压电层之间的位置,或者所述压电层与所述第二电极层之间的位置。

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