[发明专利]用于分离包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片的分离方法

权利要求书

1.一种分离方法，所述分离方法用于沿着至少一个分离线（L）对包括多个太阳能电池堆叠（12）的半导体晶片（10）进行分离，所述分离方法至少包括以下步骤：提供所述半导体晶片（10），所述半导体晶片具有上侧（10.1）、下侧（10.2）、粘合剂层（22）和盖玻璃层（24），其中，所述粘合剂层与所述上侧（10.1）材料锁合地连接，所述盖玻璃层与所述粘合剂层（22）材料锁合地连接；其中，所述半导体晶片（10）分别具有多个太阳能电池堆叠（12）并且包括锗衬底层（14）、锗子电池（16）和至少两个III-V族子电池（18，20），所述锗衬底层构成所述半导体晶片（10）的下侧（10.1）；沿着所述分离线（L）借助激光烧蚀产生如下的分离沟道（G）：所述分离沟道从所述半导体晶片（10）的下侧（10.2）穿过所述半导体晶片（10）和所述粘合剂层（22）至少延伸至所述盖玻璃层（24）的与所述粘合剂层（22）邻接的下侧；沿着所述分离沟道分开所述盖玻璃层（24）。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以直到所述盖玻璃层（24）的与所述粘合剂层（22）邻接的区域中的方式，产生所述分离沟道。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过断裂或锯来分开所述盖玻璃层。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，为了所述激光烧蚀，使激光（LA）沿着至少一个轨迹（S1，S2，S4，S5）在所述半导体晶片（10）的下侧（10.2）上运动，并且借助经聚焦的激光束（LS）沿着所述轨迹进行能量输入，其中，所述至少一个轨迹沿着所述分离线（L）或平行于所述分离线（L）延伸。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，沿着至少2个、至多30个轨迹（S1，S2，S4，S5）进行所述能量输入。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在一个烧蚀循环中沿着n个轨迹（S1，S2，S4，S5）进行所述能量输入，并且将所述烧蚀循环重复至少一次，其中，在每次重复中所述轨迹的数量n保持相等或被减小，其中，在至少一次重复中减小数量n，其中，1≤n≤30。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述烧蚀循环重复至少一次、至多40次。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在一个烧蚀循环中以第一功率密度和第一焦平面进行所述能量输入，并且将所述烧蚀循环重复至少一次，其中，在至少一次重复中改变所述功率密度和/或所述焦平面。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在产生所述沟道之前，将所述盖玻璃层的上侧材料锁合地与膜连接。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述粘合剂层（22）包括硅酮并且具有至少5μm的厚度。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述盖玻璃层（24）具有至少50μm的层厚度。

12.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，借助脉冲激光（LA）进行所述能量输入，其中，脉冲持续时间在10fs与100ns之间，和/或波长在315nm与1070nm之间或在1.5μm与10.6μm之间。