[发明专利]一种晶圆外延反应设备

说明书

本申请公开了一种晶圆外延反应设备，包括：传送叶片，用于传送晶圆至反应腔室内的第一指定位置，以及在晶圆生长完成后将其从第一指定位置带离；反应腔室，内设有晶圆升降装置和位移传感器；晶圆升降装置用于带动晶圆在第一指定位置和第二指定位置之间运动，载置晶圆进行外延生长；位移传感器用于监测第二指定位置处的晶圆的位置数据；控制器，用于根据位置数据判断晶圆是否产生横向位移；当判断结果为是时触发告警；控制器还用于根据告警被触发时的位置数据调整第一指定位置，以使第一指定位置和第二指定位置上下对应。本申请可以确保晶圆升降装置将晶圆放置到指定位置上而不发生位置偏移，从而降低晶圆在外延反应设备中生长外延层时的不良率。

技术领域

本申请属于硅片制造技术领域，具体涉及一种晶圆外延反应设备。

背景技术

在外延层生产工艺中，晶圆是在外延反应设备的反应腔室中生长其外延层的。在这个过程中，需要借助反应腔室中的晶圆升降装置将晶圆安置在反应腔室中的指定位置上进行外延层生长。当安置晶圆的位置与指定位置偏离时，会导致生长出的外延层厚度不均，影响晶圆的质量。

相关技术中，依赖于晶圆升降装置承托着晶圆做升降运动，以此实现将晶圆放置到指定位置上进行外延生长。具体的，该晶圆升降装置包括：基座、基座支承轴、晶圆升降轴和晶圆升降销；其中，基座用于承载晶圆，基座的中心位置便是安置晶圆的指定位置；晶圆升降销在晶圆升降轴的支承臂的支承作用下承托着晶圆做升降运动，以此实现将晶圆放置到基座上以及在外延层生长完成后将晶圆从基座上分离；基座支承轴用于支承基座。其中，晶圆升降轴的支承臂通过其末端的平台结构支承着晶圆升降销做升降运动。

然而，晶圆升降轴的支承臂支承着晶圆升降销做升降运动时，由于晶圆升降销和晶圆升降轴的支承臂之间为点接触，故晶圆升降销有发生倾斜的可能，从而导致晶圆被放置到基座上时偏离中心位置。此时，晶圆生长出的外延层厚度不均匀，会影响晶圆的质量。因此，如何确保晶圆升降装置将晶圆放置到指定位置上而不发生位置偏移，从而有效降低晶圆在外延反应设备中生长外延层时的不良率，是一个亟待解决的技术问题。

发明内容

为了确保晶圆升降装置将晶圆放置到指定位置上而不发生位置偏移，从而有效降低晶圆在外延反应设备中生长外延层时的不良率，本申请提供了一种晶圆外延反应设备。

本申请要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种晶圆外延反应设备，包括：传送叶片、反应腔室和控制器；其中，

所述传送叶片，用于传送晶圆至所述反应腔室内的第一指定位置，以及在所述晶圆外延生长完成后将所述晶圆从所述第一指定位置带离所述反应腔室；

所述反应腔室，用于为所述晶圆提供外延生长环境；其中，所述反应腔室内设有晶圆升降装置和位移传感器；所述晶圆升降装置用于带动所述晶圆在所述第一指定位置和第二指定位置之间运动，以在所述第二指定位置处载置所述晶圆进行外延生长；所述位移传感器用于监测所述第二指定位置处的所述晶圆的位置数据；

所述控制器，用于根据所述位置数据判断所述晶圆在所述第二指定位置处是否产生横向位移；当判断结果为是时触发告警；所述控制器还用于根据告警被触发时的所述位置数据调整所述第一指定位置，以使所述第一指定位置和所述第二指定位置上下对应。

可选地，所述晶圆升降装置，包括：

基座，所述基座用于承载所述晶圆；

基座支承轴，所述基座支承轴位于所述基座下方，围绕所述基座支承轴均匀地布置有若干基座支承臂，所述基座支承臂用于支承所述基座；

晶圆支承轴，所述晶圆支承轴位于所述基座下方，围绕所述晶圆支承轴均匀地布置有若干晶圆支承臂以及若干晶圆升降销，所述晶圆升降销的一端贯穿位于所述基座的通孔，所述晶圆升降销沿竖直方向运动来使所述晶圆载置于所述基座上或与所述基座分离；