[发明专利]一种低方阻透明导电膜

权利要求书

1.一种低方阻透明导电膜，其特征在于：包括由下往上层叠设置的透明基材、折射率匹配层、过渡层、金属合金层和透明导电层，

其中所述折射率匹配层为硫化锌层、五氧化二铌层、二氧化钛层、氧化锌层或者氧化锌混合层，厚度为15~50nm，

所述过渡层为氧化镁、氧化镓和氧化铝中的至少一种与氧化锌混合的氧化锌混合层，厚度为3~15nm。

2.根据权利要求1所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述折射率匹配层为五氧化二铌层，厚度为35nm。

3.根据权利要求1所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述过渡层为氧化锌镁层，厚度为6nm。

4.根据权利要求1所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述透明基材层的材料为PI、PET、PC、COP和玻璃中的一种，厚度为0.005~1μm，并且当材料为PET或PC时，上下表面做加硬处理。

5.根据权利要求4所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述透明基材层的材料为PET，厚度为0.125μm。

6.根据权利要求1所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述金属合金层为银合金层或者铜合金层，且银合金中的其余合金成分为钯、金、铜、铂、铑中的至少一种，银的比例大于95%；而铜合金中的其余合金成分为钯、金、银、铂、铑中的至少一种，铜的比例大于95%；所述金属合金层的厚度为4~20nm，方阻为5~30Ω。

7.根据权利要求6所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述银合金层中的其余合金为钯和铜，所述银合金层的厚度为6.5nm，方阻为16Ω。

8.根据权利要求1所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述透明导电层为氧化锡层，或者氧化铟锡层，厚度为20~80nm。

9.根据权利要求8所述的一种低方阻透明导电膜，其特征在于：所述透明导电层为氧化铟锡层，厚度为52nm。