[发明专利]一种快速制备易于切割的高性能Bi2

权利要求书

1.一种快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）根据Bi₂Te₃基热电材料的化学组成采用单质作为初始原料，熔融得到Bi₂Te₃基锭体；

（2）将步骤（1）所得Bi₂Te₃基锭体进行熔体旋甩，得到薄带；

（3）将步骤（2）所得薄带铺在模具中进行放电等离子活化烧结，得到易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料。

2.根据权利要求1所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于所述的Bi₂Te₃基热电材料为p型或者n型。

3.根据权利要求2所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于p型Bi₂Te₃基热电材料的化学组成为BixSb_2-xTe₃，x=0.4~0.6；n型Bi₂Te₃基热电材料的化学组成为Bi₂Se_yTe_3-y，y=0.2~0.3。

4.根据权利要求2所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于所述单质的纯度大于99%；根据p型或n型Bi₂Te₃基热电材料中所含有的元素选择单质作为初始原料。

5.根据权利要求1所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于所述的熔融的温度为1073~1273K，熔融时间为6~12h。

6.根据权利要求1所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于所述的熔体旋甩的转速为2m/s~6m/s，惰性气氛或者氮气气氛。

7.根据权利要求1所述快速制备易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料的方法，其特征在于所述的放电等离子活化烧结，烧结压力为20~60MPa，烧结温度为400~500℃，烧结时间为2~10min。

8.权利要求1所述方法制备的易于切割的高性能Bi₂Te₃基热电材料。