[发明专利]侦测光刻工艺制程异常的方法

权利要求书

1.一种侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，包括：

步骤S1，建立光刻图形参数与刻蚀图形参数对应关系的数据库；

步骤S2，利用光刻工艺的ADI CD图形表征预测AEI CD；

其中，所述步骤S1具体包括如下子步骤：

步骤S11，提供一晶圆，所述晶圆具有通过光刻焦距-曝光能量矩阵的多个曝光能量-焦距条件形成的待测结构；

步骤S12，获取所述待测结构的ADI CD及截面图像；

步骤S13，对晶圆进行刻蚀工艺；

步骤S14，获取刻蚀后的晶圆上的待测结构的AEI CD及截面图像；

步骤S15，根据所述ADI CD及截面图像和所述AEI CD及截面图像，建立曝光能量-焦距条件下光刻图形参数与刻蚀图形参数对应关系的数据库；

所述步骤S2具体包括如下子步骤：

步骤S21，确定曝光能量和焦距，对待处理晶圆进行光刻工艺；

步骤S22，获取光刻后的待处理晶圆的ADI CD及截面图像；

步骤S23，在所述数据库中搜索与步骤S21的光刻工艺的曝光能量和焦距最接近的曝光能量-焦距条件下的光刻图形参数和刻蚀图形参数；

步骤S24，根据步骤S22获取的待处理晶圆的ADI CD与步骤S23确定的光刻图形参数和刻蚀图形参数预测待处理晶圆的AEI CD；

步骤S25，如果预测的待处理晶圆的AEI CD与AEI CD目标值偏差大于设定偏差阈值，则判定光刻工艺制程异常，否则判定光刻工艺制程正常。

2.根据权利要求1所述的侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，当光刻工艺被判定制程异常时，调整曝光能量和/或焦距，再次进行光刻工艺，进入步骤S22。

3.根据权利要求1所述的侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，当光刻工艺被判定制程正常时，对待处理晶圆进行刻蚀工艺以及AEI。

4.根据权利要求1所述的侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，所述待测结构为一维方向的图形结构或两维方向的图形结构。

5.根据权利要求1所述的侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，在步骤S24中，根据步骤S22获取的待处理晶圆的ADI截面图像与步骤S23确定的光刻图形参数和刻蚀图形参数预测待处理晶圆的AEI截面图像。

6.根据权利要求5所述的侦测光刻工艺制程异常的方法，其特征在于，在步骤S25中，对预测的AEI截面图像与数据库中的AEI截面图像进行图像匹配度分析，如果得到的图像匹配度小于设定匹配度阈值，则判定光刻工艺制程异常，否则判定光刻工艺制程正常。