[发明专利]等离子体处理装置及处理基板的方法在审
| 申请号： | 202010876613.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466734A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 横田聪裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室，具有中心轴线；
基板支撑器，配置于所述腔室内，所述基板支撑器上的基板的中心位于所述中心轴线上；
等离子体生成部，构成为由供应到所述腔室内的处理气体生成等离子体；
第1电磁铁组件，构成为包括一个以上的第1环状线圈，且配置于所述腔室上或其上方，并且在所述腔室内生成第1磁场；及
第2电磁铁组件，构成为包括一个以上的第2环状线圈，且在所述腔室内生成第2磁场，所述第2磁场在所述基板支撑器上的基板的中心降低所述第1磁场的强度。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第2电磁铁组件配置于所述基板支撑器的下方。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第2电磁铁组件配置于所述腔室上或其上方。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第1电磁铁组件作为所述一个以上的第1环状线圈包括多个第1环状线圈。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第2电磁铁组件作为所述一个以上的第2环状线圈包括多个第2环状线圈。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第2磁场在所述基板支撑器上的基板的中心抵消所述第1磁场的强度。
7.一种在等离子体处理装置的腔室内处理基板的方法，其包括：
a)在所述腔室内的基板支撑器上载置基板的工序，所述基板支撑器上的所述基板的中心位于所述腔室的中心轴线上；
b)由供应到所述腔室内的处理气体生成等离子体的工序；
c)在所述b)期间，使用配置于所述腔室上或其上方的第1电磁铁组件在所述腔室内生成第1磁场的工序，所述第1电磁铁组件包括一个以上的第1环状线圈；
d)在所述c)期间，使用第2电磁铁组件在所述腔室内形成第2磁场的工序，所述第2电磁铁组件包括一个以上的第2环状线圈，所述第2磁场在所述基板支撑器上的所述基板的中心降低所述第1磁场的强度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述处理气体包括溴化氢和/或氯。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述b)包括蚀刻所述基板上的硅膜的工序。
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