[发明专利]用于减少因曝光不均匀所导致的布局失真的方法与系统

说明书

本发明实施例涉及用于减少因曝光不均匀所导致的布局失真的方法与系统。根据本发明的一些实施例，提供一种用于调整设计布局的方法、非暂时性计算机可读存储媒体及系统。所述方法包括：接收设计布局，包含所述设计布局的外围区域中的特征；根据工件的曝光场中的曝光分布确定与所述外围区域相关联的第一补偿值；及通过根据所述补偿值修改所述特征的形状来调整所述设计布局。

技术领域

本发明实施例涉及用于减少因曝光不均匀所导致的布局失真的方法与系统。

背景技术

在先进半导体技术中，不断减小的装置大小及日益复杂的电路设计已使集成电路(IC)的设计及制造更具挑战及更昂贵。为了以较小覆盖区及较低功耗追求更好的装置性能，已研究先进的光刻技术(例如，极紫外(EUV)光刻)作为制造具有30nm或更小的线宽的半导体装置的方法。EUV光刻采用掩模来控制EUV辐射下对衬底的照射以在所述衬底上形成图案。

尽管现存光刻技术已改进，但其仍然无法满足许多方面的要求。例如，需要改进EUV光刻中所使用且经由掩模控制的辐射束的质量。

发明内容

根据本发明的一实施例，一种方法，其包括：接收设计布局，包括所述设计布局的外围区域中的特征；根据工件的曝光场中的曝光分布确定与所述外围区域相关联的第一补偿值；及通过根据所述补偿值修改所述特征的形状来调整所述设计布局。

根据本发明的一实施例，一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理器执行时执行以下步骤的指令：接收设计布局，包括所述设计布局的外围区域中的特征；根据薄膜组合件的反射率确定与所述外围区域相关联的第一补偿值，所述薄膜组合件放置于根据所述设计布局制造的掩模上方；及通过根据所述第一补偿值修改所述特征的形状来调整所述设计布局。

根据本发明的一实施例，一种系统，其包括处理器及包含指令的一或多个程序，所述指令在由所述处理器执行时导致所述系统：接收设计布局，包括所述设计布局的外围区域中的特征；根据工件的曝光场中的曝光分布确定与所述外围区域相关联的第一补偿值；通过根据所述补偿值修改所述特征的形状来调整所述设计布局；及执行将所述特征的所述形状转印到所述工件的光刻操作。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式更好理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1是展示根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统的示意图。

图2A是根据一些实施例的光刻系统的示意图。

图2B是根据一些实施例的半导体晶片的示意性俯视图。

图3是展示根据一些实施例的图1的集成电路(IC)制造系统中的数据准备块的示意图。

图4A及图4B是根据一些实施例的经历布局外围调整操作的设计布局的示意图。

图5是说明根据一些实施例的布局外围调整操作的示意图表。

图6是根据一些实施例的制造掩模的方法的流程图。

图7是根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。

图8是根据一些实施例的实施光刻方法的系统的示意图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不希望为限制性的。例如，在以下描述中，在第一构件上方或上形成第二构件可包含其中第一构件及第二构件形成为直接接触的实施例，且也可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间，使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。