[发明专利]基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器

权利要求书

1.基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器，其特征在于，小型化均衡器的谐振结构采用蚀刻双螺旋图案的缺陷地结构，能量吸收采用贴片电阻，其包括微带层(1)、介质层(2)和金属层(3)，微带层(1)、介质层(2)和金属层(3)从上到下依次层叠；所述微带层(1)作为传输主线且位于小型化均衡器的顶层外表面，所述微带层(1)是输入、输出为50欧姆的微带线；

所述微带层(1)包括设置在微带线两端的第一端口(10)和第二端口(11)，所述介质层(2)包括介质基板(20)，所述金属层(3)包括金属板(30)，所述金属板(30)上蚀刻有在中间位置共用蚀刻直槽的第一双螺旋谐振器图案和第二双螺旋谐振器图案，所述第一双螺旋谐振器图案和第二双螺旋谐振器图案关于蚀刻直槽对称设置且与蚀刻直槽一起构成完整的蚀刻结构，在蚀刻直槽内还设置有吸收电阻(37)；

所述第一双螺旋谐振器图案包括蚀刻形成的第一螺旋(31)和第二螺旋(32)，所述第二双螺旋谐振器图案包括蚀刻形成的第三螺旋(33)和第四螺旋(34)；

所述蚀刻直槽为第一螺旋和第三螺旋相交处(35)和第二螺旋和第四螺旋相交处(36)连接组成，所述第一螺旋(31)和第二螺旋(32)为对称的螺旋结构，所述第三螺旋(33)和第四螺旋(34)为对称的螺旋结构，所述第一螺旋(31)和第三螺旋(33)关于第一螺旋和第三螺旋相交处(35)对称设置，所述第二螺旋(32)和第四螺旋(34)关于第二螺旋和第四螺旋相交处(36)对称设置。

2.根据权利要求1所述的基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器，其特征在于，所述第一端口(10)和第二端口(11)分别为小型化均衡器的输入端口和输出端口。

3.根据权利要求1所述的基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器，其特征在于，所述吸收电阻(37)为贴片电阻，所述吸收电阻(37)位于蚀刻槽的中部，即位于第一螺旋和第三螺旋相交处(35)与第二螺旋和第四螺旋相交处(36)的连接处位置，所述吸收电阻(37)的电阻加载方向平行于微带线。

4.根据权利要求1所述的基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器，其特征在于，所述微带线在金属板(30)上的投影穿过第一螺旋(31)和第三螺旋(33)，使得吸收电阻(37)与微带线之间具有水平间距。

5.根据权利要求1所述的基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器，其特征在于，所述蚀刻直槽的两侧还可设置有多对的第一双螺旋谐振器图案和第二双螺旋谐振器图案，所述第一双螺旋谐振器图案和第二双螺旋谐振器图案分别为逆时针和顺时针共同设置的螺旋结构。