[发明专利]数据存储装置与数据处理方法

说明书

本发明公开了一种数据存储装置，包括存储器装置与存储器控制器。存储器控制器配置第一存储器区块作为缓存器，并且对应地配置多个第二存储器区块。存储器控制器使用第一存储器区块接收数据，并且对应地将相同之数据储存于第一存储器区块所对应之第二存储器区块作为备份数据。当第一存储器区块之可用空间小于或等于一既定数量时，存储器控制器检查第一存储器区块所储存之数据是否发生错误，并且当第一存储器区块所储存之数据发生错误时，存储器控制器进一步配置第三存储器区块，并且将第二存储器区块所储存之备份数据搬移至第三存储器区块。

技术领域

本发明有关于适用于一数据存储装置之一种数据处理方法，可有效解决因字线短路造成数据错误的问题。

背景技术

随着数据存储装置的科技在近几年快速地成长，许多数据存储装置，如符合安全数字(Secure Digital，缩写为SD)/多媒体卡(Multi Media Card，缩写为MMC)规格、复合式闪存(Compact flash，缩写为CF)规格、记忆条(Memory Stick，缩写为MS)规格与极数字(Extreme Digital，缩写为XD)规格的存储卡、固态硬盘、嵌入式多媒体存储卡(embeddedMulti Media Card，缩写为eMMC)以及通用闪存存储(Universal Flash Storage，缩写为UFS)已经广泛地被应用在多种用途上。因此，在这些数据存储装置上，有效率的存取控制也变成一个重要的议题。

于立体NAND型闪存(3D NAND-type flash)的应用中，三层单元(Triple-LevelCell，缩写为TLC)的存储器区块可被使用作为缓存器(buffer)，用以自主机装置接收并暂存数据。然而，字线短路(word line short)的问题可能会发生于TLC存储器区块的写入操作。当字线短路发生时，储存于空间上相邻的字线所对应的存储单元的电压会相互影响，因而产生电压的偏移，导致比特数据产生错误，进而形成错误比特(error bit)。一旦错误比特被产生了，存储器控制器便需要针对损坏数据做额外处理，因此降低了存储器装置的存取效率。

有鉴于此，需要一种适用于数据存储装置之数据处理方法，用以解决因字线短路所造成数据错误的问题。

发明内容

如上所述，于立体NAND型闪存的应用中，可直接使用TLC存储器区块作为缓存器，用以自主机装置接收并暂存数据。然而，于TLC存储器区块的写入操作时可能会发生字线短路的问题。当字线短路发生时，储存于空间上相邻的字线所对应的存储单元的电压会产生电压的偏移，导致比特数据产生错误，进而形成错误比特(error bit)。一旦错误比特被产生了，存储器控制器便需要针对损坏数据做额外处理，因此降低了存储器装置的存取效率。

本发明的一目的在于解决因字线短路造成数据错误的问题。本发明藉由利用额外配置的多个个存储器区块作为缓存器所对应之备份存储器区块，使得当缓存器的数据发生错误时，便可利用备份存储器区块所储存之备用数据进行修复。相较于传统仅使用TLC存储器区块作为缓存器的设计，一旦产生错误比特，存储器控制器便需要针对损坏数据做额外处理，导致存储器装置的存取效率大幅降低。藉由本发明所提出之数据处理方法，可有效避免存储器装置的存取效率因数据修复的执行而降低的情况。

本发明公开了一种数据存储装置，包括一存储器装置与一存储器控制器。存储器装置包括多个存储器区块。存储器控制器耦接存储器装置，用以存取存储器装置。存储器控制器配置一第一存储器区块作为用以自一主机装置接收数据之一缓存器，并且对应地配置多个第二存储器区块，第一存储器区块为一三层单元存储器区块，第二存储器区块为多个单层单元存储器区块。存储器控制器使用第一存储器区块接收数据，并且对应地将相同之数据储存于第一存储器区块所对应之第二存储器区块作为备份数据。当第一存储器区块之一可用空间小于或等于一既定数量时，存储器控制器检查第一存储器区块所储存之数据是否发生错误，并且当第一存储器区块所储存之数据发生错误时，存储器控制器进一步配置一第三存储器区块，并且将第二存储器区块所储存之备份数据搬移至第三存储器区块。