[发明专利]一种低功耗高精度RC振荡器电路在审

专利信息
申请号: 202010874951.7 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN111988019A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 张建伟 申请(专利权)人: 上海明矽微电子有限公司
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012;H03K3/011
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201306 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 高精度 rc 振荡器 电路
【说明书】:

发明提出一种低功耗高精度RC振荡器电路,其特征在于,包含基准源电路,充放电电路,SR锁存器和开关控制电路。使用本发明的有益效果是,输出时钟的频率只决定于充电电容C1,C2和电阻R0。该结构可大大减小电流校准部分的面积,并且会明显提高输出频率的精度,节约校准电路面积的同时,也减少了数字电路模块对校准部分的实现难度。在充放电电路中避免使用传统结构中的运算放大器和比较器,在面积和功耗方面都有改善。

技术领域

本发明属于集成电路设计技术领域。具体地说,属于RC振荡器电路设计领域。

背景技术

振荡器电路是一种基本电路,广泛应用于各种模拟,数模混合产品中。常用的振荡器分为环形振荡器,RC振荡器,LC振荡器等。这几种振荡器的特点和工作原理各有不同,设计时根据不同的应用条件和产品要求,选择适合的架构和实现方式。

RC振荡器电路在现有的芯片设计中使用较多,传统的RC振荡器电路需要两个比较器和一个基准比较电路,其中基准比较电路中包含一个运算放大器,结构复杂,功耗较大,而且其输出的时钟周期受温度和工艺的影响比较大,需要额外的校准电路才能达到足够的精度。

发明内容

基于对传统的RC振荡器的改进,本发明提出一种低功耗高精度RC振荡器电路。

一种低功耗高精度RC振荡器电路,其特征在于,如图1所示,包含:基准源电路,充放电电路,RS锁存器和开关控制电路。

如图2所示,所述基准源电路,其输出连接充放电电路,基准源电路输出三路信号,分别为偏置电流Ib及其两路镜像电流I3和I4。Ib,I3和I4连接充放电电路。基准源电路还有两路内部信号I1和I2,I1和I2和Ib,I3,I4同源。I1连接NMOS M1的Drain端和NMOS M2的Gate端,NMOS M1的Source端接地;I2连接NMOS M2的Drain端,NMOS M2的source端连接NMOS M1的gate端并通过电阻R0接地。

所述充放电电路,其输入端分为4路,其中3路连接至基准源电路,分别为偏置电流Ib,镜像电流I3和镜像电流I4,另一路输入连接开关控制电路的输出信号phase;其输出端连接至SR锁存器。充放电电路的主要作用是在开关控制电路的控制下完成充放电过程,产生物理延时。充放电电路中有4个开关:S1,S2,S3和S4,4个开关由phase信号来控制。S1与S4同时导通,定义为phase-1状态,S2与S3同时导通,定义为phase-2状态。当电路工作在phase-1时,Ib作为充电电流对C1充电,当C1上极板电压达到NMOS M4的阈值电压时,下拉电路导通,由于下拉电路设计的下拉能力远大于该节点的上拉,因此当其栅极达到阈值电压形成导电沟道后,会将节点n1电压拉低,并使后级的逻辑电路认出‘0’;同理,当电路工作状态切换到phase-2时,S1和S4断开,S2和S3闭合,Ib开始对C2充电,同时C1的电荷通过S2被快速放电。当C2上极板电压达到NMOS M3的阈值电压后,M3的导电沟道形成,同样的下拉能力强于I2的上拉,M3的drain端电压被拉低,使节点n2被后级逻辑电路认出‘0’。

所述SR锁存器,其输入分为两路,均连接至充放电电路,分别为n1和n2;其输出分为两路,连接至开关控制电路,并作为整个RC振荡器的输出信号。SR锁存器的主要作用是根据n1和n2的电压翻转产生开关控制电路的输入信号和整个RC振荡器的输出信号osc_out及其取反信号osc_out_bar。当n1点电压拉低并被认为是逻辑‘0’时,S-R锁存器被置位,其输出osc_out由‘0’变为‘1’;当n2点电压拉低并被认为是逻辑‘0’时,S-R锁存器被置位,其输出osc_out由‘1’变为‘0’。osc_out即为产生的周期时钟信号。

所述开关控制电路,其输入分为两路,均连接至SR锁存器;其输出为1路,连接至充放电电路。开关控制电路的主要作用是根据SR锁存器的输出信号,改变开关控制的相位,使整个环路形成正反馈,进而起振。

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