[发明专利]一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202010874435.4 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111809238A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00;C30B23/00;C30B7/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 籽晶 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅晶体的籽晶，其特征在于，所述碳化硅晶体的籽晶碳面()上具有周期性排列的凹腔结构，所述凹腔结构包括多个侧壁，所述多个侧壁中至少一个侧壁的法向和所述碳化硅晶体C向[0001]之间具有50~65°的预设夹角。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶，其特征在于，所述凹腔结构包括：
第一锥形侧壁，所述第一锥形侧壁与所述碳化硅晶体的R面()重叠，所述第一锥形侧壁的法向和所述碳化硅晶体C向[0001]之间的夹角为57.6°；
第二锥形侧壁，连接所述第一锥形侧壁的一端；
第三锥形侧壁，连接所述第一锥形侧壁的一端。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶，其特征在于，所述凹腔结构包括：
底壁；
第一侧壁，连接于所述底壁，所述第一侧壁与所述碳化硅晶体N面()重叠，所述第一侧壁的法向和所述碳化硅晶体C向[0001]之间的夹角为61°；
第二侧壁，连接于所述底壁；
第三侧壁，连接于所述底壁；
第四侧壁，连接于所述底壁；
第五侧壁，连接于所述底壁；
第六侧壁，连接于所述底壁。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶，其特征在于：所述多个侧壁之间的面积相同。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶，其特征在于：所述凹腔结构的凹腔高度为0.02mm至5mm。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶，其特征在于，所述籽晶的直径为100mm至200mm，和/或厚度为0.2mm至2mm。
7.一种碳化硅晶体的制造方法，其特征在于，包括：
提供一权利要求1~6任意一项所述的碳化硅晶体的籽晶；
对所述籽晶进行生长，以得到一晶锭；
对所述晶锭进行退火，以得到所述碳化硅晶体。
8.根据权利要求7所述的碳化硅晶体的制造方法，其特征在于，所述籽晶的生长方法选自高温化学气相沉积法、溶液法、物理气相传输法中任意一种。
9.根据权利要求7所述的碳化硅晶体的制造方法，其特征在于，所述退火方法为原位退火。
10.根据权利要求7所述的碳化硅晶体的制造方法，其特征在于，所述籽晶的生长温度和退火温度之间的温度梯度为0~50℃/cm。
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