[发明专利]频率源的温度补偿参数确定方法及装置

说明书

本申请公开了一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置。该方法包括：获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。通过本申请，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。

技术领域

本申请涉及频率源温度补偿领域，具体而言，涉及一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置。

背景技术

由于便捷、尺寸小等优点，芯片的片上频率源正逐渐取代片外晶体、晶振，广泛应用于芯片领域。

一种典型的片上频率源是由LC振荡器实现，由于LC振荡器的温度随频率的升高而降低，具有负温度系数。因而，在电路设计中，往往需要设计复杂的温度补偿电路来补偿温度变化导致的频率偏差，在设计温度补偿电路时，需要知道温度补偿参数。在相关技术中，通常是在芯片量产的过程中，通过机台对芯片进行加热，结合不同温度下芯片的频率计算频率源的温度补偿参数，并写入芯片的存储器中。但是，采用机台对芯片加热，需要将芯片批量放入托盘，再将托盘放置到机台内进行芯片的加热，加热时间长，且容易产生加热不均。

针对相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请提供一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置，以解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。该方法包括：获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数。

可选地，采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，第一功耗大于第三功耗，第二功耗小于第三功耗。

可选地，在采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热的过程中，通过调整待测芯片在目标工作模式下的工作频率和/或工作通道的数量，以调整待测芯片在工作过程中产生的功耗。

可选地，依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：采用第一功耗对待测芯片加热第一时段；在采用第一功耗对待测芯片加热后，采用第二功耗对待测芯片加热第二时段，其中，第二时段小于第一时段；在采用第二功耗对待测芯片加热后，采用第三功耗对待测芯片加热第三时段，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内。

可选地，在采用第一功耗对待测芯片加热第一时段之前，该方法还包括：确定待测芯片在工作过程中产生的最大功耗，并将最大功耗确定为第一功耗。

可选地，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。