[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有多个相互分立的位线导电层；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述位线导电层并填充相邻所述位线导电层之间的区域，所述绝缘层的顶面高于所述位线导电层，且在沿所述基底指向所述绝缘层的方向上，后续的第二刻蚀工艺对所述绝缘层的刻蚀速率逐渐增加；采用第一刻蚀工艺，对位于相邻所述位线导电层之间的绝缘层进行刻蚀，形成露出所述基底的初始电容接触孔；

采用所述第二刻蚀工艺，对所述初始电容接触孔的侧壁的绝缘层进行刻蚀，形成电容接触孔，且在沿所述基底指向所述绝缘层的方向上，所述电容接触孔的开口尺寸逐渐增加，位于所述位线导电层正上方的剩余所述绝缘层作为位线绝缘层。

2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在进行所述第二刻蚀工艺之前，在沿所述基底指向所述绝缘层的方向上，所述初始电容接触孔的侧壁的绝缘层的致密度逐渐减小。

3.根据权利要求1或2所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为单层结构；采用沉积工艺形成所述绝缘层，且所述沉积工艺采用的沉积工艺温度逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层包括：依次堆叠形成至少两层基础绝缘层，所述基础绝缘层的材料相同，且在沿所述基底指向所述绝缘层的方向上，处于相邻层的所述基础绝缘层的致密度逐层减小；且在形成所述初始电容接触孔的工艺步骤中，所述初始电容接触孔的侧壁露出每一层所述基础绝缘层。

5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一刻蚀工艺之前，形成所述绝缘层包括：形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充相邻所述位线导电层之间的区域，且所述第一绝缘层为至少两层所述基础绝缘层中距所述基底最近的所述基础绝缘层。

6.根据权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一刻蚀工艺之前，形成所述绝缘层还包括：形成顶层绝缘层，所述顶层绝缘层为所述至少两层基础绝缘层中距所述基底最远的所述基础绝缘层；采用原子层沉积工艺形成所述第一绝缘层，采用化学气相沉积工艺形成所述顶层绝缘层；或者，采用相同的沉积工艺形成所述第一绝缘层以及所述顶层绝缘层，且形成所述第一绝缘层的沉积工艺温度大于形成所述顶层绝缘层的沉积工艺温度。

7.根据权利要求6所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的工艺步骤包括：在形成所述第一绝缘层之后、形成所述顶层绝缘层之前，在所述第一绝缘层以及所述位线导电层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成所述顶层绝缘层，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述顶层绝缘层的材料相同，且所述第二刻蚀工艺对所述顶层绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层的刻蚀速率逐渐减小。

8.根据权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一绝缘层；采用化学气相沉积工艺形成所述第二绝缘层以及所述顶层绝缘层，形成所述顶层绝缘层的沉积工艺温度小于形成所述第二绝缘层的沉积工艺温度。

9.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的沉积工艺的温度范围为620℃-640℃；形成所述顶层绝缘层的沉积工艺的温度范围为600℃-620℃。

10.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层的沉积工艺温度与形成所述第二绝缘层的沉积工艺温度相同。

11.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氮化硅或者氧化硅。

12.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括湿法刻蚀。