[发明专利]保护膜形成用复合片在审
| 申请号: | 202010872512.2 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN112447573A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | 小升雄一朗 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J7/20;C09J7/40 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保护膜 形成 复合 | ||
本发明提供一种保护膜形成用复合片,其具备基材,并在所述基材的一个面上依次且以相互接触的方式层叠有能量射线固化性粘着剂层及保护膜形成用膜,所述粘着剂层的凝胶分率为80%以上,或所述粘着剂层的凝胶分率为20%以上且小于80%,所述保护膜形成用复合片中,所述保护膜形成用膜的玻璃化转变温度为3℃以上。
技术领域
本发明涉及一种保护膜形成用复合片。本申请基于2019年8月30日于日本提出申请的日本特愿2019-158473主张优先权,并将其内容援用于此。
背景技术
在半导体装置的制造过程中,有时会使用保护膜对为了获得目标物而需要进行加工的工件进行保护。
例如,在应用了被称为倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置的制造中,将在电路面上具有凸块等电极的半导体晶圆用作工件,为了在半导体晶圆或作为其分割物的半导体芯片中抑制裂纹的产生,有时会使用保护膜对半导体晶圆或半导体芯片的与电路面为相反侧的背面进行保护。此外,在半导体装置的制造过程中,作为工件,使用后文所述的半导体装置面板,为了抑制在该面板上发生弯曲或裂纹,有时会使用保护膜对面板的任意部位进行保护。
为了形成上述保护膜,例如使用一种保护膜形成用复合片,其通过具备支撑片,且进一步在所述支撑片的一个面上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜而构成。
保护膜形成用膜可通过其固化而作为保护膜发挥功能,也可以未固化的状态作为保护膜发挥功能。此外,支撑片能够用于固定具备保护膜形成用膜或其固化物的工件。例如,在使用半导体晶圆作为工件时,支撑片可用作为在将半导体晶圆分割为半导体芯片时所必需的切割片。作为支撑片,例如可列举出具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层的支撑片、仅由基材构成的支撑片等。当支撑片具备粘着剂层时,在保护膜形成用复合片中,粘着剂层配置在基材与保护膜形成用膜之间。
在使用上述的保护膜形成用复合片时,首先在工件的目标位置贴附保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜。
然后,根据所需,对于上述具备保护膜形成用复合片的状态的工件进行加工,由此得到工件加工物。例如,在使用半导体晶圆作为工件时,将保护膜形成用复合片通过其中的保护膜形成用膜贴附在工件的背面后,在各自适当的时机,适当地进行:基于保护膜形成用膜的固化的保护膜的形成、保护膜形成用膜或保护膜的切断、由半导体晶圆至半导体芯片的分割(切割)、背面具备切断后的保护膜形成用膜或保护膜的半导体芯片(带保护膜形成用膜的半导体芯片或带保护膜的半导体芯片)从支撑片上的拾取等。在已拾取了带保护膜形成用膜的半导体芯片时,带保护膜形成用膜的半导体芯片通过保护膜形成用膜的固化而被制成带保护膜的半导体芯片,最终使用带保护膜的半导体芯片制造半导体装置。
专利文献1中公开了一种切割胶带一体型半导体背面用膜,其中,在切割胶带上层叠有倒装芯片型半导体背面用膜,所述切割胶带在基材上层叠有粘着剂,所述倒装芯片型半导体背面用膜由热固化树脂成分与玻璃化转变温度为25℃以上200℃以下的热塑性树脂成分形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5479991号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
作为这样的保护膜形成用复合片,除了利用具有包含通过加热而固化的粘着剂层的支撑片的复合片以外,还利用有具备通过照射紫外线等能量射线而固化的粘着剂层的支撑片。
能量射线固化性粘着剂通常由光聚合性树脂与光聚合引发剂构成,通过照射能量射线,光聚合性树脂因光聚合引发剂而交联、固化,但在能量射线固化前,存在未交联的光聚合性树脂与光聚合引发剂从粘着剂层向保护膜形成用膜移动,或保护膜形成用膜的成分向粘着剂层移动的问题。若发生这样的成分移动,则能量射线照射后的粘着剂层的固化不充分或者在粘着剂层与保护膜形成用膜之间发生交联,由此从支撑片上拾取在背面具备已固化的保护膜的半导体芯片(带保护膜的半导体芯片)时,存在无法从支撑片上剥离带保护膜的半导体芯片,在半导体芯片与保护膜之间发生剥离的可能性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





