[发明专利]用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器

权利要求书

1.一种用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于，所述用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器沿入射方向自上而下包括第一闪烁体层、第一光电二极管阵列层、第二闪烁体层、第二光电二极管阵列层、第三闪烁体层及第三光电二极管阵列层，其中，

所述第一闪烁体层的厚度＜第二闪烁体层的厚度＜第三闪烁体层的厚度；

所述第一闪烁体层的密度＜第二闪烁体层的密度＜第三闪烁体层的密度；

所述第一闪烁体层的衰减长度＞第二闪烁体层的衰减长度＞第三闪烁体层的衰减长度；

所述第一闪烁体层用于吸收低能量的X射线，并将吸收的低能X射线转化为可见光，所述第一光电二极管阵列层用于将所述第一闪烁体层转化的可见光转换为电荷并存储；所述第二闪烁体层用于吸收中等能量的X射线，并将吸收的中能X射线转化为可见光，所述第二光电二极管阵列层用于将所述第二闪烁体层转化的可见光转换为电荷并存储；所述第三闪烁体层用于吸收高能量的X射线，并将吸收的高能X射线转化为可见光，所述第三光电二极管阵列层用于将所述第三闪烁体层转化的可见光转换为电荷并存储。

2.根据权利要求1所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述第一闪烁体层的MTF特性＜第二闪烁体层的MTF特性＜第三闪烁体层的MTF特性。

3.根据权利要求1所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述第一闪烁体层的材料包括GOS(Gd₂O₂S)、NaI(Tl)、LaCl3(Ce)、CsI(Tl、Na)、LaBr3(Ce)、YAlO3(Ce)中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述第二闪烁体层的材料包括CSI、GOS(Tb、Pr、Ce、F)、CaWO4、Gd3Ga5O12(Cr、Ce)、Gd2SiO5(Ce)、Lu2Si2O7(Ce)中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述第三闪烁体层的材料包括CdWO4、BGO、Lu2SiO5(Ce)、LuAlO3(Ce)、YTaO4(Nb)中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述第一闪烁体层的材料为CsI(Tl)，所述第二闪烁体层的材料为Gd2O2S:Tb，所述第三闪烁体层的材料为CdWO4。

7.根据权利要求1-6任一项所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器还包括过滤片，位于所述第一光电二极管阵列层和第二闪烁体层之间，用于过滤未被所述第一闪烁体层吸收的低能射线。

8.根据权利要求7所述的用于单源多能成像系统的三能级线阵探测器，其特征在于：所述过滤片包括铜片。