[发明专利]一种基于逻辑物理映射表的SPI Nand数据写入方法在审
申请号: | 202010870830.5 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN111966302A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 黄欢;施冠良;郑伟;朱纯莹;郑文豪 | 申请(专利权)人: | 南京扬贺扬微电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 颜盈静 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 逻辑 物理 映射 spi nand 数据 写入 方法 | ||
本发明公开了一种基于逻辑物理映射表的SPI Nand数据写入方法,包括:将写命令中的逻辑地址解析成相应的逻辑块和页;判断是否存在该逻辑块对应的动态块;以及当存在对应动态块时,则将写入数据存放至其一的动态块中,并在逻辑物理映射表中记录存放位置;当不存在对应动态块时,则判断是否存在空的动态块,若存在空的动态块,则将写入数据存放至该动态块中,在逻辑物理映射表中记录存放位置;若不存在空的动态块,则从所有被占用动态块中提取一动态块,将该动态块中的所有数据整理至一个新的数据块,完成该动态块释放,并且在逻辑物理映射表中更新存放位置,同时将写入数据存放至释放出来的动态块中,并在逻辑物理映射表中记录存放位置。
技术领域
本发明属于存储芯片技术领域,具体涉及一种基于逻辑物理映射表的SPI Nand数据写入方法。
背景技术
Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器因其具有容量较大,改写速度快、适用于大量数据的存储等优点,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
Nand-flash存储器的写操作很特殊,必须是先擦除,然后才能写入数据,即要求保证写的存储单元里没有数据,所以用户在进行写操作时,首先要判断写的页地址是否有被写过,如果有则需要先进行擦除,但有些情形下,用户在使用时需要对某一地址区域的数据进行持续更新,这种先擦除再写数据的方式,容易造成不便。
发明内容
发明目的:为了解决用户在使用时需要进行先擦除再写数据所造成的使用不便的问题,本发明提出了一种新型L2P(logic to physic)架构的SPI Nand的数据写入方法。
技术方案:一种基于逻辑物理映射表的SPI Nand数据写入方法,用于将数据写入SPI Nand存储芯片,包括:
将写命令中的逻辑地址解析成相应的逻辑块和页;
判断是否存在该逻辑块对应的动态块;以及
当存在对应动态块时,则将写入数据存放至其一的动态块中,并在逻辑物理映射表中记录存放位置;
当不存在对应动态块时,则判断是否存在空的动态块,若存在空的动态块,则将写入数据存放至该动态块中,在逻辑物理映射表中记录存放位置;若不存在空的动态块,则从所有被占用动态块中提取一动态块,将该动态块中的所有数据整理至一个新的数据块,完成该动态块释放,并且在逻辑物理映射表中更新存放位置,同时将写入数据存放至释放出来的动态块中,并在逻辑物理映射表中记录存放位置。
进一步的,写入数据根据其存储模式写入相应的动态块中,所述存储模式包括Regular mode和Irregular mode;其对应的动态块包括Regular块和Irregular块;
当存储模式为Regular mode时,Regular块中顺序写下数据;
当存储模式为Irregular mode时,在Irregular块中的页乱序写下数据,记录每页对应的物理地址。
进一步的,所述的将该动态块中的所有数据整理至一个新的数据块,完成该动态块释放,包括:
当顺序写完一个Regular块时,将该Regular块直接替换为数据块,原Regular块的数据擦除,释放出来成为没被占用的Regular块;
当Irregular块写满时,根据页表按顺序找到每页对应的数据存放位置,读取出来写入一个新的数据块,把原Irregular块的数据擦除,释放出来成为没被占用的Irregular块。
进一步的,在所述逻辑物理映射表的每页的back point中记录有逻辑块值、与其相对应的物理页值以及存储模式。
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