[发明专利]一种限域生长的超薄二维材料及其制备方法

权利要求书

1.一种限域生长的超薄二维材料的制备方法，其特征在于包含如下步骤：

（1）将反应物晶体粉末B颗粒细化处理至粒径尺寸为10~50 µm；

（2）将反应物A加入溶剂中，制备前驱体溶液；其中，反应物A可溶于该溶剂，反应物B不可溶于或微溶于该溶剂；

（3）将步骤（1）颗粒细化处理后的反应物晶体粉末B加入步骤（2）制得的前驱体溶液中，搅拌至体系呈糊状，得到混合物；

（4）将步骤（3）制得的混合物均匀涂布在载体上，然后将载体置于反应体系中，进行水热反应，得到第一反应产物；

（5）将步骤（4）制得的第一反应产物抽滤，干燥，得到限域生长的超薄二维材料；

所述的反应物晶体粉末B与反应物A的质量比不小于15:1；

步骤（1）中所述的反应物晶体粉末B为NaCl、MnSO₄和CaCl₂中的至少一种；

步骤（2）中所述的反应物A为VO(acac)₂。

2.根据权利要求1所述的限域生长的超薄二维材料的制备方法，其特征在于：

步骤（2）中所述的溶剂为无水乙醇。

3.根据权利要求1所述的限域生长的超薄二维材料的制备方法，其特征在于：

步骤（2）中所述的反应物A前驱体溶液的浓度为0.05 mol/L；

步骤（3）中所述的反应物晶体粉末B与前驱体溶液的质量体积比为（2~3）g：（5~10）mL。

4.根据权利要求1所述的限域生长的超薄二维材料的制备方法，其特征在于：

步骤（4）中所述的载体为聚四氟乙烯片或碳布。

5.根据权利要求1所述的限域生长的超薄二维材料的制备方法，其特征在于：

步骤（4）中所述的水热反应的温度为150~180℃；

步骤（4）中所述的水热反应的时间为120~180min。

6.一种限域生长的超薄二维材料，其特征在于通过权利要求1~5任一项所述的制备方法制备得到。

7.权利要求6所述的限域生长的超薄二维材料在催化和电化学储能领域中的应用。