[发明专利]晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法

权利要求书

1.一种晶圆表面处理装置，用于采集晶圆表面的阴阳离子，其特征在于，包括用于容纳晶圆的微腔室，所述微腔室包括能够打开或关闭所述微腔室的盖板，所述微腔室的侧壁设置有用于引入溶解晶圆表面的阴阳离子的溶解液的液体入口，所述微腔室底部设置有用于引出溶解有晶圆表面的阴阳离子的溶液的液体出口，所述微腔室的侧壁上还设置有惰性气体入口和惰性气体出口，所述晶圆表面处理装置还包括设置于所述惰性气体入口处和/或所述惰性气体出口处的气体流速控制结构，用于控制惰性气体流入所述微腔室内的时长或流速。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，所述气体流速控制结构用于在溶解液进入所述微腔室内之前，控制惰性气体从所述惰性气体入口进入所述微腔室、并从所述惰性气体出口流出，以增加惰性气体在所述微腔室内的占比。

3.根据权利要求2所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，所述气体流速控制结构包括设置于所述惰性气体入口的第一阀门和设置于所述惰性气体出口的第二阀门。

4.根据权利要求1所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，还包括设置于所述微腔室内部的支撑结构，所述支撑结构包括用于承载晶圆的承载台，所述承载台面向所述微腔室底部的一侧设置有移动结构，所述移动结构用于控制所述承载台在所述微腔室内沿着所述微腔室的深度方向移动。

5.根据权利要求1所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，所述微腔室呈漏斗状，所述液体出口位于所述微腔室的底部的中心位置。

6.根据权利要求1所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，所述液体出口处设置有第三阀门。

7.根据权利要求1所述的晶圆表面处理装置，其特征在于，所述液体出口处连接有取样器。

8.一种晶圆表面阴阳离子取样方法，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的晶圆表面处理装置进行取样，包括以下步骤：

打开盖板，将晶圆安装于微腔室内；

扣合盖板，通过惰性气体入口引入惰性气体、且引入微腔室内的惰性气体从惰性气体出口流出；

在微腔室内持续引入惰性气体预设时间后，从溶解液入口引入预设量的溶解液，使得溶解液能够浸没晶圆待测表面；

将溶解有晶圆表面阴阳离子的液体从液体出口引出。

9.根据权利要求8所述的晶圆表面阴阳离子取样方法，其特征在于，所述晶圆表面处理装置还包括设置于所述微腔室内部的支撑结构，所述支撑结构包括用于承载晶圆的承载台，所述承载台面向所述微腔室底部的一侧设置有移动结构，所述移动结构用于控制所述承载台在所述微腔室内沿着所述微腔室的深度方向移动；所述晶圆表面阴阳离子取样方法还包括：

通过所述移动结构控制所述承载台沿着所述微腔室的深度方向移动，以使得溶解液浸没晶圆待测表面。

10.根据权利要求9所述的晶圆表面阴阳离子取样方法，其特征在于，晶圆待测表面包括晶圆与承载台接触的一面，或者晶圆待测表面包括晶圆与承载台接触的第一面、以及与所述第一面相对设置的第二面。