[发明专利]一种基于氟化稠环电子受体的寡聚物小分子太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 202010869979.1 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN111883660A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 唐骅;严岑琪;闫新豪;阚志鹏;李刚;陆仕荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;香港理工大学深圳研究院 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 代玲 |
| 地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 氟化 电子 受体 寡聚物小 分子 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氟化稠环电子受体的寡聚物小分子太阳能电池,从下至上依次包括基板、空穴传输层、活性层、电子传输层和金属电极,其特征在于,所述太阳能电池为正置器件结构,所述活性层包括寡聚物小分子给体和氟化小分子受体。
2.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述寡聚物小分子给体为DRCN5T,所述氟化小分子受体为IDIC-4F。
3.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述活性层中,寡聚物小分子给体和氟化小分子受体的质量比为5~7:3~5,优选为5:5、6:4或7:3。
4.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述基板包括透明衬底层和透明导电电极,所述透明导电电极为正极,所述金属电极为负极。
5.根据权利要求4所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述透明导电电极的材料为氧化铟锡;
和/或,所述负极的材料为Ag或Al。
和/或,所述负极的厚度为80-150nm。
6.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS;
和/或,所述电子传输层的材料为选自DPO、PFN-Br、PFN、罗丹宁中的一种;
和/或,所述活性层的厚度为80~150nm;
和/或,所述空穴传输层的厚度为25-50nm;
和/或,所述电子传输层的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的寡聚物小分子太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基板上旋涂空穴传输层,然后热退火处理;在空穴传输层上旋涂活性层,然后依次进行热退火和/或溶剂热退火处理;在活性层上旋涂电子传输层,最后在电子传输层上蒸镀金属电极,制得所述太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层的旋涂条件为3000~6000rpm、15-30s;
和/或,所述空穴传输层的热退火温度为120~180℃;所述空穴传输层的热退火时间为8~15min。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述活性层的旋涂条件为1000~3000rpm、20-40s;
和/或,所述活性层的热退火温度为100~140℃;所述活性层的热退火时间为8~15min;
和/或,所述活性层的溶剂退火处理采用的溶剂为二氯甲烷或氯仿;所述活性层的溶剂退火处理时间为5~30s;
和/或,旋涂活性层时,旋涂溶液中给体材料和受体材料的总浓度为20mg/ml。
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述电子传输层的旋涂条件为1500~3000rpm、15-30s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院;香港理工大学深圳研究院,未经中国科学院重庆绿色智能技术研究院;香港理工大学深圳研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010869979.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





