[发明专利]一种基于氟化稠环电子受体的寡聚物小分子太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010869979.1 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN111883660A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 唐骅;严岑琪;闫新豪;阚志鹏;李刚;陆仕荣 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;香港理工大学深圳研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 代玲
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 氟化 电子 受体 寡聚物小 分子 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于氟化稠环电子受体的寡聚物小分子太阳能电池,从下至上依次包括基板、空穴传输层、活性层、电子传输层和金属电极,其特征在于,所述太阳能电池为正置器件结构,所述活性层包括寡聚物小分子给体和氟化小分子受体。

2.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述寡聚物小分子给体为DRCN5T,所述氟化小分子受体为IDIC-4F。

3.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述活性层中,寡聚物小分子给体和氟化小分子受体的质量比为5~7:3~5,优选为5:5、6:4或7:3。

4.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述基板包括透明衬底层和透明导电电极,所述透明导电电极为正极,所述金属电极为负极。

5.根据权利要求4所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述透明导电电极的材料为氧化铟锡;

和/或,所述负极的材料为Ag或Al。

和/或,所述负极的厚度为80-150nm。

6.根据权利要求1所述的寡聚物小分子太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS;

和/或,所述电子传输层的材料为选自DPO、PFN-Br、PFN、罗丹宁中的一种;

和/或,所述活性层的厚度为80~150nm;

和/或,所述空穴传输层的厚度为25-50nm;

和/或,所述电子传输层的厚度为5-10nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的寡聚物小分子太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基板上旋涂空穴传输层,然后热退火处理;在空穴传输层上旋涂活性层,然后依次进行热退火和/或溶剂热退火处理;在活性层上旋涂电子传输层,最后在电子传输层上蒸镀金属电极,制得所述太阳能电池。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层的旋涂条件为3000~6000rpm、15-30s;

和/或,所述空穴传输层的热退火温度为120~180℃;所述空穴传输层的热退火时间为8~15min。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述活性层的旋涂条件为1000~3000rpm、20-40s;

和/或,所述活性层的热退火温度为100~140℃;所述活性层的热退火时间为8~15min;

和/或,所述活性层的溶剂退火处理采用的溶剂为二氯甲烷或氯仿;所述活性层的溶剂退火处理时间为5~30s;

和/或,旋涂活性层时,旋涂溶液中给体材料和受体材料的总浓度为20mg/ml。

10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述电子传输层的旋涂条件为1500~3000rpm、15-30s。

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