[发明专利]一种红豆杉天丝棉双面功能面料及其制备方法在审
| 申请号: | 202010869518.4 | 申请日: | 2020-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN111962199A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | 王昌辉;左华丽;王叶科 | 申请(专利权)人: | 江苏红豆实业股份有限公司 |
| 主分类号: | D04B1/14 | 分类号: | D04B1/14;D02G3/44;D02G3/04;D06M15/643;D06M15/00;D06M13/00;D06M11/76;D06M11/46;D06L4/13;D06P3/82;D06M101/06;D06M101/04 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 朱建均 |
| 地址: | 214199 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 红豆杉 丝棉 双面 功能 面料 及其 制备 方法 | ||
本发明属于纺织面料技术领域,尤其是一种红豆杉天丝棉双面功能面料及其制备方法。本发明的红豆杉天丝棉双面功能面料由红豆杉纤维、天丝、棉纤维混纺而成,按质量分数计,面料包括10%~15%红豆杉纤维、10%~35%天丝和50%~80%棉。本发明的红豆杉天丝棉双面功能面料通过加入红豆杉纤维,并进行抗菌整理后面料的抗菌性能大幅度提高;通过加入天丝改善面料的舒适性,韧性和柔软性能;通过加入棉纤维改善面料的强度、耐摩擦牢度、亲水性能;通过有机硅整理,改善面料的尺寸稳定性能、抗皱性能、抗水性能、透气性和抗摩擦性能;通过有机氟整理改善面料的拒水性、抗油性能、抗污性能、耐洗性能、耐热性能、耐腐蚀性能。
技术领域
本发明属于纺织面料技术领域,尤其是一种红豆杉天丝棉双面功能面料及其制备方法。
背景技术
随着科技的进步,社会的发展,人们对纺织面料的需求和要求也随之增加和提高。生活中常见的全棉面料衣物虽然穿着舒适,但是易皱、易变形、易发霉,且悬垂性不佳,给人们的日常穿着带来很多烦恼。随着工业的迅速发展和人们生活水平的提高,人们对环境与健康日益重视,抗菌纺织品也越来越受到人们的追捧和喜爱,但是大部分抗菌面料经过整理剂整理后面料的舒适性,韧性和柔软性能较差;面料的强度、耐摩擦牢度、亲水性能等不能满足人们多样化的需求。
发明内容
本发明的目的是在于克服、补充现有技术中存在的不足,提供一种红豆杉天丝棉双面功能面料及其制备方法。本发明的红豆杉天丝棉双面功能面料采用化学整理剂和物理工艺结合的方法进行功能性整理,无需加入额外化学交联剂,使面料具有抑菌功能,并且柔软性能优异、不易霉变、不易折皱、悬垂性能佳。
为解决现有技术存在的不足,本发明采用以下技术方案:一种红豆杉天丝棉双面功能面料,所述面料采用包含红豆杉纤维、天丝和棉纤维的混纺纱线织造而成,按质量分数计,所述混纺纱线包括红豆杉纤维10%~15%、天丝10%~35%和棉50%~80%,其中所述棉纤维的纱线细度为32~40英支,纱线捻系数为325~330。
所述的红豆杉天丝棉双面功能面料的制备方法,包括以下步骤:
(1)制备面料
a、原料准备:按质量分数计,按10%~15%红豆杉纤维、10%~35%天丝和50%~80%棉的含量配比准备红豆杉纤维、天丝和棉纤维;
b、上机编织:选用筒经34~38英寸、针数24~28针/英寸的双面针织纬编机将纱线编织成坯布;
c、精炼、漂白:将步骤b所得的坯布加入精炼液中进行精炼,控制精炼的温度为90~100℃,精炼时间为45~50min;将经过精炼的坯布加入漂白液中进行漂白,控制漂白的温度为10~45℃,漂白时间为5~15min;
d、染色:将经步骤c处理后的坯布常温入染,升温至65~70℃,保温50~60min,浴比为10:1~20:1;
e、染色后处理:将经步骤d处理后的坯布通过柔软剂进行处理,然后轧制、烘干;
f、平幅烘干整理:将经步骤e处理后的坯布脱水至含水率为25%~35%,在平幅烘干定型机中进行整理,控制温度为150~165℃,车速为15~20m/min;
(2)抗菌整理
将步骤(1)得到的面料在抗菌剂中进行整理1~5min,浴比为5~40:1,处理温度为140~190℃;
(3)拉幅定型整理
将经步骤(2)处理后的面料进行拉幅定型整理;
(4)有机硅、有机氟整理
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏红豆实业股份有限公司,未经江苏红豆实业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010869518.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超结MOSFET
- 下一篇:一种半导体封装设备





