[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202010869433.6 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN111785743A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 向杰;袁德;吴欢;张胜德;徐瑞乾;张灿;胡佳;郭继成;王子琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,该显示基板包括:衬底基板;形成于衬底基板上的阳极层、阴极层及位于阳极层与阴极层之间的电致发光层;显示基板的周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与驱动近端相对的一侧的驱动远端;阳极层包括:在显示区域平行设置的多根第一信号分支线,第一信号分支线自驱动近端向驱动远端延伸,在驱动近端与驱动电路连接;阴极层包括:在显示区域平行设置的多根第二信号分支线,第二信号分支线自驱动远端向驱动近端延伸,并在驱动远端通过布设于周边区域的引线、与驱动电路连接。本公开提供的显示基板及其制造方法、显示装置,使驱动近端和驱动远端跨压一致,提高屏幕亮度均一性。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
亮度均一性是影响显示屏显示效果的重要因素,目前显示屏需求厂家都引进长程均一性概念及手段,对屏幕的LRU(Long Range Uniformity,长程均一性)进行评价。在相关技术中,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件主要包括阳极(Vdd)、发光层(EL)和阴极(Vss),由于屏幕Vdd走线存在压降,导致驱动电路(D-IC)近端EL跨压(Vdd-Vss)大,D-IC远端EL跨压小的现象,亮度从D-IC近端到远端存在亮度降低的问题,尤其对于大尺寸和高分辨率的产品该现象尤其严重。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,能够使得驱动近端和驱动远端跨压(Vdd-Vss)基本一致,提高屏幕亮度均一性。
本公开所提供的技术方案如下:
一方面,本公开实施例中提供了一种显示基板,包括:衬底基板;形成于所述衬底基板上的阳极层、阴极层及位于所述阳极层与所述阴极层之间的电致发光层;其中,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域,所述周边区域包括设置有驱动电路的驱动近端及位于与所述驱动近端相对的一侧的驱动远端;
所述阳极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第一信号分支线,所述第一信号分支线自所述驱动近端向所述驱动远端延伸,并在所述驱动近端与所述驱动电路连接,用于使第一信号从所述驱动近端流向所述驱动远端;
所述阴极层包括:在所述显示区域平行设置的多根第二信号分支线,所述第二信号分支线自所述驱动远端向所述驱动近端延伸,并在所述驱动远端通过布设于所述周边区域的引线、与所述驱动电路连接,用于使第二信号从所述驱动远端流向所述驱动近端。
示例性的,多根所述第一信号分支线与多根所述第二信号分支线一一对应设置;在所述显示区域内,每一所述第一信号分支线在所述衬底基板上的正投影、和与该第一信号分支线对应的第二信号分支线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
示例性的,所述阳极层还包括:第一信号总线,所述第一信号总线设置在所述驱动近端,并与所述第一信号分支线垂直,且所述第一信号总线与所述驱动电路连接,多根所述第一信号分支线连接至所述第一信号总线上。
示例性的,所述布设于所述周边区域的引线包括:环绕所述周边区域设置的第二信号总线,所述第二信号总线包括设置于所述驱动远端的第一部分引线、连接于所述第一部分引线相对两端的第二部分引线,所述第一部分引线与所述第二信号分支线垂直,所述第二部分引线与所述第二信号分支线平行,且所述第二部分引线与所述驱动电路连接,多根所述第二信号分支线连接至所述第一部分引线上。
示例性的,所述第一信号分支线自所述驱动近端至所述驱动远端的压降△U1,与所述第二信号分支线自所述驱动远端至所述驱动近端的压降△U2之间的差值小于或等于预定差值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的