[发明专利]一种双霍尔传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种双霍尔传感器，其特征在于，包括：两个霍尔片结构；所述霍尔片结构包括霍尔本体、绝缘层和导电件；

所述霍尔本体包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；所述有源层设置于所述衬底上，所述隔离层和四个所述电极层均设置于所述有源层上，且所有所述电极层分散设置于所述隔离层的外围；

于所述电极层的位置，所述衬底开设有第一通孔，所述有源层对应于所述第一通孔的位置开设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连通设置；所述导电件顺次插接于所述第一通孔、所述第二通孔后抵顶连接于所述电极层，所述导电件远离所述电极层的一端外置于所述衬底；所述绝缘层设置于所述第一通孔、所述第二通孔各自的孔壁与所述导电件之间的位置；

两个所述霍尔片结构通过各自的所述导电件外置所述衬底的部分进行连接；

其中，所述导电件包括导电本体和连接板件，所述导电本体插接于所述第一通孔和所述第二通孔中，所述连接板件与所述导电本体靠近所述衬底的一端连接，且所述连接板件外置于所述衬底；两个所述霍尔片结构通过各自的所述连接板件相互贴合进行连接；导电件将两个霍尔片结构的相同电阻的电极层连接在一起。

2.根据权利要求1所述的双霍尔传感器，其特征在于，所述绝缘层包括二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的双霍尔传感器，其特征在于，所述导电件由具有导电性能的金属材料制备形成。

4.根据权利要求1所述的双霍尔传感器，其特征在于，其中一所述霍尔片结构对应的所述连接板件与另一所述霍尔片结构对应的所述连接板件之间通过焊接连接。

5.根据权利要求1所述的双霍尔传感器，其特征在于，所述衬底和所述隔离层的掺杂类型均为P型掺杂；所述有源层和所述电极层的掺杂类型均为N型掺杂。

6.根据权利要求1所述的双霍尔传感器，其特征在于，所述衬底和所述隔离层的掺杂类型均为N型掺杂；所述有源层和所述电极层的掺杂类型均为P型掺杂。

7.根据权利要求5或6所述的双霍尔传感器，其特征在于，所述隔离层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度；所述电极层的掺杂浓度大于所述有源层的掺杂浓度。

8.一种双霍尔传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备根据权利要求1至7任一项所述的双霍尔传感器，包括如下步骤：

提供霍尔本体；所述霍尔本体包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；所述有源层设置于所述衬底上，所述隔离层和四个所述电极层均设置于所述有源层上，且所有所述电极层分散设置于所述隔离层的外围；

对应于所述电极层的位置，在所述衬底上刻蚀第一通孔，并在所述有源层刻蚀第二通孔，其中每一所述电极层对应一个所述第一通孔和一个所述第二通孔；

分别在所述第一通孔和所述第二通孔各自的孔壁制备绝缘层；

在所述绝缘层内填充导电材料形成导电件，且所述导电件的一端连接所述电极层，所述导电件的另一端外置于所述衬底以形成霍尔片结构；

将两个所述霍尔片结构通过各自的所述导电件外置所述衬底的部分进行连接；

其中，所述导电件包括导电本体和连接板件，所述导电本体插接于所述第一通孔和所述第二通孔中，所述连接板件与所述导电本体靠近所述衬底的一端连接，且所述连接板件外置于所述衬底；两个所述霍尔片结构通过各自的所述连接板件相互贴合进行连接；导电件将两个霍尔片结构的相同电阻的电极层连接在一起。

9.根据权利要求8所述的双霍尔传感器的制备方法，其特征在于，在所述将两个所述霍尔片结构通过各自的所述导电件外置所述衬底的部分进行连接后，还包括如下步骤：

将两个连接后的霍尔片结构进行封装形成双霍尔传感器。