[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 202010864238.4 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN111785742B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 李杰;张伟;孙世成;赵东升;崔国意;徐鲁;陈腾;卢玉群 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;所述衬底被划分为有效显示区以及功能器件所在的功能显示区;
设置在所述功能显示区的所述衬底上的电极连接层;所述电极连接层包括多条相互绝缘的阳极连接线和阴极连接线,且所述阳极连接线沿着第一方向分布,所述阴极连接线沿着第二方向分布;
覆盖所述衬底和所述电极连接层的平坦层;
设置在所述功能显示区的所述平坦层上的阳极层;所述阳极层包括多个相互间隔的阳极,且沿着所述第一方向,相邻两个所述阳极通过贯穿所述平坦层的第一过孔与所述阳极连接线连接;
设置在所述阳极层上的像素界定层和有机功能层;
设置在所述功能显示区且覆盖所述有机功能层的阴极层;所述阴极层包括多个相互间隔的阴极,且沿着所述第二方向,相邻两个所述阴极通过贯穿所述像素界定层和所述平坦层的第二过孔与所述阴极连接线连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极在所述衬底上的正投影覆盖所述阳极在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电极连接层的材料为透明导电材料,所述电极连接层的厚度为至
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括覆盖所述阴极层和所述像素界定层的封装层,以及设置在所述封装层上的彩膜层;
其中,所述彩膜层包括与每个所述阳极对应的彩膜单元,每个所述彩膜单元包括色阻单元以及包围所述色阻单元的黑矩阵。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述像素界定层具有多个像素开口,所述色阻单元在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述像素开口内的所述有机功能层在所述衬底上的正投影;
其中,每个所述色阻单元允许通过的光的颜色,与对应的所述像素开口内的所述有机功能层所发出的光的颜色相同。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜单元在所述衬底上的正投影覆盖所述阴极在所述衬底上的正投影,且所述黑矩阵在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影存在重合区域。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括覆盖所述封装层和所述彩膜层的保护层。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;所述衬底被划分为有效显示区以及功能器件所在的功能显示区;
在所述功能显示区的所述衬底上形成电极连接层;所述电极连接层包括多条相互绝缘的阳极连接线和阴极连接线,且所述阳极连接线沿着第一方向分布,所述阴极连接线沿着第二方向分布;
形成覆盖所述衬底和所述电极连接层的平坦层;
在所述功能显示区的所述平坦层上形成阳极层;所述阳极层包括多个相互间隔的阳极,且沿着所述第一方向,相邻两个所述阳极通过贯穿所述平坦层的第一过孔与所述阳极连接线连接;
在所述阳极层上分别形成像素界定层和有机功能层;
在所述功能显示区形成覆盖所述有机功能层的阴极层;所述阴极层包括多个相互间隔的阴极,且沿着所述第二方向,相邻两个所述阴极通过贯穿所述像素界定层和所述平坦层的第二过孔与所述阴极连接线连接。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述功能显示区形成覆盖所述有机功能层的阴极层的步骤之后,还包括:
形成覆盖所述阴极层和所述像素界定层的封装层;
在所述封装层上形成彩膜层;
其中,所述彩膜层包括与每个所述阳极对应的彩膜单元,每个所述彩膜单元包括色阻单元以及包围所述色阻单元的黑矩阵。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述封装层上形成彩膜层的步骤之后,还包括:
形成覆盖所述封装层和所述彩膜层的保护层。
11.一种显示装置,其特征在于,包括功能器件以及如权利要求1至7中任一项所述的显示面板;
所述功能器件设置在所述衬底远离所述电极连接层的一侧,且所述功能器件位于所述功能显示区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的