[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其包括：阳极层、阴极层、设置在所述阳极层和所述阴极层之间的量子点层，以及设置在所述量子点层和所述阴极层之间的电子传输层；其特征在于，还包括：设置在所述电子传输层和所述量子点层之间的电子阻挡层；其中，

所述电子阻挡层和所述量子点层之间的界面含有金属-硫化学键；

所述金属-硫化学键包含来自所述量子点层的金属元素和来自所述电子阻挡层的硫元素。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层包括含巯基的硅氧烷聚合物。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷聚合物包括3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷、巯基丙基硅烷、3-巯丙基三甲基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷聚合物中的烷基官能团包括甲基、乙基、丙基、己基、壬基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、十八烷基、苯基中的任一种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层的材料包括有机-无机杂化钙钛矿量子点或者全无机钙钛矿量子点。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机-无机杂化钙钛矿量子点为MABX；其中，MA为CH3NH3；B为Pb、Sn、Sb、Ag中的任意一种；X为Cl、Br、I中的任意一种；

所述全无机钙钛矿量子点为ABX，A为Cs；B为Pb、Sn、Sb、Ag中的任意一种；X为Cl、Br、I中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料包括氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种，或者离子掺杂型的氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括基底、空穴传输层和空穴注入层，其中，所述阴极层、所述电子传输层、所述电子阻挡层、所述量子点层、所述空穴传输层、所述空穴注入层、所述阳极层沿背离所述基底方向依次设置。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度约为0.685nm。

10.一种量子点发光二极管的制备方法，包括形成阳极层、阴极层、在所述阳极层和所述阴极层之间形成量子点层，以及在所述量子点层和所述阴极层之间形成电子传输层的步骤；其特征在于，所述方法还包括：

在所述电子传输层和所述量子点层之间形成电子阻挡层的步骤；其中，

所述电子阻挡层和所述量子点层之间的界面含有金属-硫化学键；

所述金属-硫化学键包含来自所述量子点层的金属元素和来自所述电子阻挡层中的硫元素。

11.根据权利要求10所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层包括含巯基的硅氧烷聚合物，形成所述电子阻挡层的步骤包括：

将含巯基的硅氧烷聚合物试剂溶于非极性溶液中，并形成在所述电子传输层背离所述阴极层的一侧，以形成所述电子阻挡层；或者，

将形成有所述电子传输层的基底浸入到含巯基的硅氧烷聚合物溶于非极性溶液中，以形成所述电子阻挡层。

12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷聚合物包括3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基甲基二乙氧基硅烷、巯基丙基硅烷、3-巯丙基三甲基硅烷、双-[3-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物中的任意一种。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的量子点发光二极管。