[发明专利]一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法有效
申请号: | 202010862628.8 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112132968B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 吕琳;彭昊;曹令鑫;江腾飞;黄劲 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | G06T17/10 | 分类号: | G06T17/10;G06T17/20;B33Y50/00 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 李琳 |
地址: | 266237 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺度 周期性 晶格 自适应 填充 建模 方法 | ||
1.一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法,其特征是:包括以下步骤:
将输入的3D模型分为一组六面体单元作为粗网格,将周期性结构填充到每个单元中,生成细尺度的微观结构;
根据设定的指导场,控制六面体网格生成的密度和周期性结构单元的厚度,生成指导场对应物理性质的填充模型;
根据六面体网格对周期性结构进行参数变换并填充的具体过程包括:在六面体网格中填充周期性结构,根据周期性结构的公式在六面体单元中建立距离场,通过Marching-Cube算法将距离场转化为脚手架结构;
根据设定的指导场,控制六面体网格生成的密度的具体过程包括:设六面体单元是等参变换,周期性结构单元是等体积变换,六面体单元的局部密度与它体积的三次方根成反比;
根据设定的指导场,控制周期性结构的厚度的具体过程包括:对六面体单元的角上厚度进行插值,计算填充的周期性结构单元的局部厚度,填充的周期性结构单元的局部厚度计算为:
其中,为六面体单元由线性拉格朗日插值生成的形状函数,τ(q)表示为六面体单元的角上厚度。
2.如权利要求1所述的一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法,其特征是:所述指导场根据需要填充的3D模型,结合对模型的材料和性质的要求设定。
3.如权利要求1所述的一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法,其特征是:将输入的3D模型分为一组六面体单元作为粗网格的具体过程包括:将模型分解为多层网格表面,对最底层表面使用用户指定的尺寸划分为四边形网格,将底面的四边形网格分别映射到其他的网格上,根据底面的四边形网格和映射后的四边形网格,形成六面体网格。
4.如权利要求1所述的一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法,其特征是:在生成指导场对应物理性质的填充模型过程中,使用混合有限元变分曲面建模方法对周期性结构单元进行变形。
5.一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模系统,其特征是:包括:
网格化处理模块,被配置为将输入的3D模型分为一组六面体单元作为粗网格,将周期性结构填充到每个单元中,生成细尺度的微观结构;
填充模块,被配置为根据设定的指导场,控制六面体网格生成的密度和周期性结构单元的厚度,生成指导场对应物理性质的填充模型;
根据六面体网格对周期性结构进行参数变换并填充的具体过程包括:在六面体网格中填充周期性结构,根据周期性结构的公式在六面体单元中建立距离场,通过Marching-Cube算法将距离场转化为脚手架结构;
根据设定的指导场,控制六面体网格生成的密度的具体过程包括:设六面体单元是等参变换,周期性结构单元是等体积变换,六面体单元的局部密度与它体积的三次方根成反比;
根据设定的指导场,控制周期性结构的厚度的具体过程包括:对六面体单元的角上厚度进行插值,计算填充的周期性结构单元的局部厚度,填充的周期性结构单元的局部厚度计算为:
其中,为六面体单元由线性拉格朗日插值生成的形状函数,τ(q)表示为六面体单元的角上厚度。
6.一种计算机可读存储介质,其特征是:其中存储有多条指令,所述指令适于由终端设备的处理器加载并执行权利要求1-4中任一项所述的一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法。
7.一种终端设备,其特征是:包括处理器和计算机可读存储介质,处理器用于实现各指令;计算机可读存储介质用于存储多条指令,所述指令适于由处理器加载并执行权利要求1-4中任一项所述的一种两尺度周期性的晶格自适应填充和建模方法。
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