[发明专利]掺杂N且负载PtNi双金属的石墨烯复合材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.掺杂N且负载PtNi双金属的石墨烯复合材料的制备方法，其特征是：包括如下步骤：将氧化石墨烯加入N，N-二甲基甲酰胺中，超声分散均匀，加入乙酰丙酮铂、乙酰丙酮镍、聚乙烯吡咯烷酮和苯酚，超声10～60分钟，于140～200℃加热反应1～8h，冷却，固液分离，收集固相，干燥，即得；其中，氧化石墨烯、乙酰丙酮铂、乙酰丙酮镍、聚乙烯吡咯烷酮和苯酚在N，N-二甲基甲酰胺中的浓度分别为0.1～0.25mg/ml、1～5mg/ml、0.01～2mg/ml、1～15mg/ml和0～5μl/ml；所述的石墨烯复合材料是将N原子掺杂进石墨烯的碳晶格中形成石墨氮结构，并且在碳网上负载PtNi纳米颗粒形成的。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：于180℃加热反应。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：加热反应5h。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：乙酰丙酮铂：乙酰丙酮镍的摩尔比例为3：(1～3)。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：乙酰丙酮铂：乙酰丙酮镍的摩尔比例为3：1。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：氧化石墨烯、乙酰丙酮铂、乙酰丙酮镍、聚乙烯吡咯烷酮和苯酚在N，N-二甲基甲酰胺中的浓度分别为0.25mg/ml、3.5mg/ml、0.85mg/ml、8mg/ml和4μl/ml。

7.权利要求1～6任意一项所述制备方法制备得到的石墨烯复合材料。

8.如权利要求7所述的石墨烯复合材料，其特征是：所述石墨烯复合材料的X射线光电子能全谱在75.55eV，287.31eV，402.31eV，534.31eV和858eV处有主峰；和/或，所述石墨烯复合材料的X射线光电子能分峰拟合谱在68.02eV，72.31eV，75.60eV，284.41eV，285.15eV，285.71eV，287.08eV，399.34eV，855.41eV，860.12eV，873.2eV和878.51eV处有分峰。

9.电化学传感器的工作电极，其特征是：所述的工作电极含有权利要求7或8所述的石墨烯复合材料。

10.如权利要求9所述电化学传感器的工作电极，其特征是：它是用权利要求7或8所述的石墨烯复合材料修饰电极材料后得到的，其中，采用以下方法修饰电极材料：将所述的石墨烯复合材料加入到分散体系中形成分散液，然后将分散液覆盖在电极材料表面，干燥，即可。

11.如权利要求10所述电化学传感器的工作电极，其特征是：所述石墨烯复合材料在分散液中的浓度为1～5mg/ml。

12.如权利要求10所述电化学传感器的工作电极，其特征是：所述石墨烯复合材料在分散液中的浓度为3mg/ml。

13.如权利要求10所述电化学传感器的工作电极，其特征是：所述的分散体系由挥发性有机溶剂、水和nafion溶液组成。

14.如权利要求13所述电化学传感器的工作电极，其特征是：所述的分散体系中：

所述的挥发性有机溶剂为乙醇和/或异丙醇；

nafion溶液的浓度为1～10％w/w；

挥发性有机溶剂、水、nafion溶液的体积比为(0.8～1.2)：(0.8～1.2)：

(0.004～0.006)。

15.如权利要求13所述电化学传感器的工作电极，其特征是：nafion溶液的浓度为5％w/w。