[发明专利]基于忆阻器阵列实现图像连通区域标记的方法、电子装置在审
申请号: | 202010857355.8 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111950569A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 高滨;耿一文;周颖;张清天;唐建石;吴华强;钱鹤 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06K9/46 | 分类号: | G06K9/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 忆阻器 阵列 实现 图像 连通 区域 标记 方法 电子 装置 | ||
1.一种基于忆阻器阵列实现图像连通区域标记的方法,包括:
获取初始图像,其中,所述初始图像包括阵列排布的多个像素点,且所述初始图像为二值化图像,每个像素点的值为彼此不同的第一值和第二值中之一,所述方法用于标记具有所述第二值的一个或多个像素点构成的一个或多个连通域;
在所述初始图像的行扩展方向和列扩展方向上进行边缘像素点扩展以得到扩展图像,其中,所述扩展图像包括与所述初始图像对应的初始图像部分,以及包括从所述边缘像素点扩展得到、且与所述初始图像部分在所述行扩展方向和所述列扩展方向相邻的扩展图像部分;
依次遍历所述扩展图像中的所述初始图像部分的所有像素点,且在遍历所述初始图像部分的过程中,将每个被选择的像素点及与所述被选择的像素点在多个连通域检测方向上满足相邻关系的多个像素点作为一个计算单元组,分别输入所述忆阻器阵列中进行乘和运算以进行像素标签处理,以得到所述被选择的像素点的像素标签,其中,所述忆阻器阵列配置为可进行矩阵乘法运算,所述像素标签的不同取值对应于所述被选择的像素点的不同的连通特征;
将所述初始图像的所有像素点的像素标签,根据所述所有像素点在所述初始图像中的位置进行排列,以得到像素标签矩阵;
对所述像素标签矩阵进行连通域编号处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
所述获取初始图像包括:
对待处理图像进行区域划分,以得到至少一个所述初始图像;
在所述初始图像的行扩展方向和列扩展方向上进行边缘像素点扩展以得到扩展图像,包括:
响应于所述初始图像的边缘包括所述待处理图像在所述行扩展方向和所述列扩展方向中任一方向上的边缘像素点,对于每一个边缘像素点,增加一个与所述边缘像素点相邻且具有所述第一值的像素点作为第一扩展像素点;
响应于所述初始图像的边缘包括所述待处理图像在所述任一方向上的非边缘像素点,增加在所述待处理图像中与所述非边缘像素点在所述任一方向上直接相邻的像素点作为第二像素扩展像素点,
其中,所述扩展图像部分包括所述第一扩展像素点和/或所述第二扩展像素点。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元,所述忆阻器阵列包括M行N列,
每个忆阻器单元包括忆阻器,所述忆阻器能被设置为第一电导状态和第二电导状态,所述第一电导状态不同于所述第二电导状态,
所述计算单元组中像素点的个数为q,
在进行所述像素标签处理之前,所述方法还包括:
设置所述忆阻器阵列中忆阻器电导值的分布,以使得,在每行忆阻器单元中,q个忆阻器单元的忆阻器具有所述第一电导状态,除所述q个忆阻器单元之外的忆阻器单元的忆阻器具有所述第二电导状态,且使得每列忆阻器单元中仅有一个忆阻器单元的忆阻器具有所述第一电导状态,
其中,M、N和q为正整数,q小于或等于N。
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