[发明专利]滤波器带外抑制优化方法和滤波器、多工器、通信设备有效
| 申请号: | 202010857241.3 | 申请日: | 2020-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN112073028B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 徐利军;庞慰 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
| 主分类号: | H03H9/50 | 分类号: | H03H9/50;H03H9/52;H03H9/54;H03H9/60;H03H9/02;H03H9/70 |
| 代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址: | 300457 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 滤波器 抑制 优化 方法 多工器 通信 设备 | ||
1.一种滤波器带外抑制优化方法,所述滤波器包括多个串联谐振器和多个并联谐振器,其特征在于,该方法包括:
调整串联谐振器和并联谐振器的压电层的厚度,使并联谐振器的有效机电耦合系数大于串联谐振器的有效机电耦合系数的初值,并且使两个所述初值之和为固定值,以及使并联谐振器谐波的串联谐振频点位于串联谐振器谐波的串联谐振频点与串联谐振器谐波的并联谐振频点之间;
在滤波器的基频满足指标要求并且滤波器的谐波区域低频抑制幅度和高频抑制幅度不相等的情况下,执行如下步骤A或步骤B,直至滤波器的谐波区域低频抑制幅度和高频抑制幅度相等且大于指定值,其中:
步骤A:若滤波器的谐波区域低频抑制幅度大于高频抑制幅度,则减小并联谐振器的有效机电耦合系数的初值,增大串联谐振器的有效机电耦合系数的初值,并且保持两个所述初值之和为固定值;
步骤B:若滤波器的谐波区域低频抑制幅度小于高频抑制幅度,则增大并联谐振器的有效机电耦合系数的初值,减小串联谐振器的有效机电耦合系数的初值,并且保持两个所述初值之和为固定值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述滤波器中,每个并联谐振器均连有接地电感,所述接地电感的电感值小于预设值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调整串联谐振器和并联谐振器的压电层的厚度的步骤包括:
将串联谐振器和并联谐振器制造在不同的晶圆上,分别调整两块晶圆上压电层的厚度,以使串联谐振器和并联谐振器的压电层的厚度不同。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,并联谐振器的有效机电耦合系数的初值比串联谐振器的有效机电耦合系数的初值大1%~2%,两者之和为滤波器相对带宽的4-5倍。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述指定值为30dB。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤A或步骤B中,并联谐振器的有效机电耦合系数的初值和串联谐振器的有效机电耦合系数的初值增大或减小0.5%。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,预设值为0.5nH。
8.一种滤波器,其特征在于,包括上晶圆、下晶圆、多个串联谐振器和多个并联谐振器,全部并联谐振器设于上晶圆第一表面,全部串联谐振器设于下晶圆的第一表面;上晶圆和下晶圆叠加形成封装结构;
在所述封装结构的内部,上晶圆的第一表面和下晶圆的第一表面平行相对设置,串联谐振器和并联谐振器通过对接管脚键合形成多级串并联的滤波器电路;
其中,多个串联谐振器的压电层的厚度与并联谐振器的压电层的厚度不同,所述串联谐振器的压电层的厚度与并联谐振器的压电层的厚度采用权利要求1至7中任一项所述的方法调整得到,而且,并联谐振器的有效机电耦合系数大于串联谐振器的有效机电耦合系数,滤波器的谐波区域低频抑制幅度和高频抑制幅度相等且大于指定值。
9.根据权利要求8所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器电路还包括接地电感,接地电感的第一端连接并联谐振器,第二端接地;
该接地电感的电感值小于预设值。
10.一种双工器,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的滤波器。
11.一种通信设备,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的滤波器。
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