[发明专利]一种IGBT模组状态监控方法及装置

说明书

本申请公开了一种IGBT模组状态监控方法及装置，提高了IGBT模组的工作可靠性。该方法包括：判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；当IGBT模组处于导通状态时，采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种IGBT模组状态监控方法及装置。

背景技术

IGBT模块是由IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)与续流二极管芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

大功率IGBT模块工艺复杂且成本较高，为节省成本，现有技术通常将多个小功率IGBT模块进行并联组合得到一个IGBT模组，该IGBT模组可以等效成一个大功率IGBT模块。但是在并联运行过程中，若个别IGBT模块出现工作异常，则可能引起整个IGBT模组中其他IGBT模块过流损坏，进而导致机器及系统停机，无法提前进行相关维护和健康管理，加大维护成本以及停机时间。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种IGBT模组状态监控方法及装置，以提高IGBT模组的工作可靠性。

一种IGBT模组状态监控方法，包括：

判断IGBT模组是否处于导通状态，其中所述IGBT模组由多个IGBT模块并联组成；

当IGBT模组处于导通状态时，采样其中任一IGBT模块的导通饱和管压降Vce；

将本IGBT模块的导通饱和管压降Vce与正常工作时的导通饱和管压降的上限V1、短路时的退饱和阈值电压V2比较大小，V1＜V2；若V1＜Vce＜V2，发出预警信号；若Vce≥V2，对各IGBT模块进行封波保护。

可选的，所述IGBT模组状态监控方法还包括：

在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；

判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断每两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。

或者，所述IGBT模组状态监控方法还包括：

在对各IGBT模块正常发波期间，采样每个IGBT模块的实时温度；

判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值是否超过过温保护阈值T1，若是，对各IGBT模块进行封波保护；若否，判断所有IGBT模块的实时温度中的最高值与最低值之差是否超过第二预设温差值T2；

若超过第二预设温差值T2，对各IGBT模块进行封波保护；若未超过第二预设温差值T2，判断每相邻两个IGBT模块之间的温差绝对值是否均未超过第一预设温差值T3，T2T3，若否，对各IGBT模块进行封波保护。

可选的，所述对各IGBT模块进行封波保护后，还包括：上报IGBT模组故障。

可选的，所述实时温度是指IGBT模块的结温或封装外壳温度。

可选的，所述实时温度通过NTC温度传感器采集得到。

一种IGBT模组状态监控装置，包括：控制单元和电压检测电路；