[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置于所述第1电极之上，与所述第1电极电连接；

第1导电型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域之上、并沿着第1面设置于所述第1半导体区域的周围，具有比所述第1半导体区域低的第1导电型的杂质浓度，所述第1面包括与从所述第1电极朝向所述第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向、和与所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向；

第1导电型的第3半导体区域，设置于所述第1半导体区域及所述第2半导体区域之上，具有比所述第2半导体区域低的第1导电型的杂质浓度；

第2导电型的第4半导体区域，设置于所述第3半导体区域之上；以及

第2电极，设置于所述第4半导体区域之上，与所述第4半导体区域电连接，

在沿着所述第1方向和第4方向的第1截面中，所述第1半导体区域的第1外缘位于比所述第4半导体区域的第2外缘靠内侧的位置，所述第4方向与所述第1方向垂直且与所述第2方向及所述第3方向交叉，

所述第1截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第4方向上的第1距离，比沿着所述第1方向及所述第2方向的第2截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第2方向上的第2距离长。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1距离与所述第2距离之差为50μm以上且200μm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第2截面中，所述第1外缘位于比所述第2外缘靠内侧的位置，

所述第1距离为所述第2距离的1.1倍以上且200倍以下。

4.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置于所述第1电极之上，与所述第1电极电连接；

第1导电型的第2半导体区域，沿着第1面设置于所述第1半导体区域的周围，具有比所述第1半导体区域低的第1导电型的杂质浓度，所述第1面包括与从所述第1电极朝向所述第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向、和与所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向；

第1导电型的第3半导体区域，设置于所述第1半导体区域及所述第2半导体区域之上，具有比所述第2半导体区域低的第1导电型的杂质浓度；

第2导电型的第4半导体区域，设置于所述第3半导体区域之上；以及

第2电极，设置于所述第4半导体区域之上，与所述第4半导体区域电连接，

在沿着所述第1方向及所述第2方向的第2截面中，所述第1半导体区域的第1外缘位于比所述第4半导体区域的第2外缘靠外侧的位置，

沿着所述第1方向和第4方向的第1截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第4方向上的第1距离，比所述第2截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第2方向上的第2距离短，所述第4方向与所述第1方向垂直且与所述第2方向及所述第3方向交叉。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1距离与所述第2距离之差为50μm以上且200μm以下。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述第2截面中，所述第1外缘位于比所述第2外缘靠外侧的位置，

所述第2距离为所述第1距离的1.1倍以上且200倍以下。