[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

依次层叠设置于所述衬底基板上的遮光图案、缓冲图案和有源层；所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影处于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影范围之内，且所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的面积；

依次层叠设置于所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅绝缘层和第一钝化层；所述栅绝缘层和所述第一钝化层中设置有贯通二者的第一过孔、第二过孔和第三过孔；所述第一过孔和所述第二过孔分别用于暴露所述有源层的一部分，所述第三过孔用于暴露所述遮光图案的一部分；

设置于所述第一钝化层远离所述衬底基板一侧的源极和漏极；所述源极或所述漏极中的一者通过所述第一过孔与所述有源层耦接；所述源极或所述漏极中的另一者通过所述第二过孔与所述有源层耦接，并且通过所述第三过孔与所述遮光图案耦接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔和所述第三过孔的深度相等或大致相等。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的边界与所述有源层在所述衬底基板上的正投影的边界重合或大致重合。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的边界与所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的边界之间具有间距。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的面积与所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的面积的比值范围为25％～40％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

依次层叠设置于所述第一钝化层远离所述衬底基板一侧的第二钝化层、平坦层、第一电极层、第三钝化层和第二电极层；

所述第二钝化层、所述平坦层、所述第一电极层和所述第三钝化层中设置有第四过孔；所述第四过孔用于，暴露所述源极的至少一部分或所述漏极的至少一部分；

所述第二电极层通过所述第四过孔，与所述源极或所述漏极耦接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层和所述第三钝化层的材料相同。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层和所述栅绝缘层的材料相同。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8中任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成遮光图案、缓冲图案和有源层；所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影处于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影范围之内，且所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的面积；

在所述有源层远离所述衬底基板的一侧，依次层叠形成栅绝缘层和第一钝化层；

采用一次构图工艺，在所述栅绝缘层和所述第一钝化层中形成贯通二者的第一过孔、第二过孔和第三过孔；所述第一过孔和所述第二过孔分别用于暴露所述有源层的一部分，所述第三过孔用于暴露所述遮光图案的一部分；

在所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极；所述源极或所述漏极中的一者通过所述第一过孔与所述有源层耦接；所述源极或所述漏极中的另一者通过所述第二过孔与所述有源层耦接，并且通过所述第三过孔与所述遮光图案耦接。