[发明专利]聚酰亚胺刻蚀方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在聚酰亚胺层的表面形成图形化的掩膜层，图形化的所述掩膜层在所述聚酰亚胺层上形成图形化的沟槽；

S2、在所述沟槽的底壁和侧壁上沉积保护层；

S3、基于第一偏压功率，刻蚀掉所述底壁上的所述保护层，以显露所述聚酰亚胺层；

S4、基于第二偏压功率，刻蚀显露出的所述聚酰亚胺层，其中，所述第一偏压功率小于所述第二偏压功率；

循环执行所述步骤S2至所述步骤S4，直至达到目标刻蚀深度。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1，进一步包括以下步骤：

S11、在所述聚酰亚胺层上形成所述掩膜层；

S12、在所述掩膜层上形成光阻层；

S13、对所述光阻层进行烘烤；

S14、对所述光阻层进行图形化处理，形成图形化的光阻层；

S15、基于图形化的所述光阻层，对所述掩膜层进行刻蚀，将所述光阻层的图形转移到所述掩膜层上，形成图形化的所述掩膜层；

S16、去除所述光阻层。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2中采用的沉积气体包括八氟环丁烷。

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2的工艺时间小于1s，所述步骤S2中采用的腔室气压为10～150mT、上电极中心功率为1000～2500W、上电极边缘功率为300～700W、所述八氟环丁烷的流量为10～100sccm。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中采用的刻蚀气体包括六氟化硫。

6.根据权利要求5所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3的工艺时间小于1s，所述步骤S3中采用的腔室气压为10～200mT、上电极中心功率为1500～3000W、上电极边缘功率为600～1500W、所述第一偏压功率30～80W、所述六氟化硫的流量为50～300sccm。

7.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S4中采用的刻蚀气体包括氧气。

8.根据权利要求7所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2的工艺时间小于10s，所述步骤S4中采用的腔室气压为10～250mT、上电极中心功率为2000～3500W、上电极边缘功率为600～1500W、所述第二偏压功率100～350W、所述氧气的流量为200～1000sccm。

9.根据权利要求5或7所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，

所述步骤S3中采用的刻蚀气体还包括氧气；

所述步骤S4中采用的刻蚀气体还包括氮气、氢气、水蒸气、四氟化碳中的至少一种。

10.根据权利要求1-8任一项所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，

所述步骤S3中采用的腔室气压大于所述步骤S2中采用的腔室气压，所述步骤S4中采用的腔室气压大于所述步骤S3中采用的腔室气压；

所述步骤S3中采用的上电极中心功率大于所述步骤S2中采用的上电极中心功率，所述步骤S4中采用的上电极中心功率大于所述步骤S3中采用的上电极中心功率；

所述步骤S3中采用的上电极边缘功率大于所述步骤S2中采用的上电极边缘功率。