[发明专利]废气处理装置在审
申请号: | 202010847273.5 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112403247A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 关根贵史;稻田高典;宫崎一知;花房直也 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | B01D53/79 | 分类号: | B01D53/79 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 废气 处理 装置 | ||
一种废气处理装置,用于通过使处理气体与液体接触而将处理气体无害化,该废气处理装置具备:吸入壳体,该吸入壳体具有吸入口及导出口,该吸入口吸入所述处理气体,该导出口供所述处理气体流出;液槽,该液槽接受所述吸入壳体的所述导出口侧的部分,并储存液体;以及一个或多个喷雾喷嘴,该一个或多个喷雾喷嘴配置于所述液槽内,所述吸入壳体的所述导出口配置为,与所述液槽内的液体的液面相比位于上方,所述一个或多个喷雾喷嘴的喷雾构成为,从周围对所述吸入壳体的所述导出口的周围的部分呈雾状地喷出液体。
技术领域
本发明涉及一种废气处理装置,详细地说,涉及一种用于通过使处理气体与液体接触而将该处理气体无害化的废气处理装置。
背景技术
真空泵装置作为半导体、液晶、太阳光面板、或LED等的制造设备之一而被广泛使用。在这些的制造过程等中,将真空泵与真空室连接,并通过真空泵对导入到真空室内的处理气体进行真空吸引。在被真空泵真空吸引的气体中,可能含有硅烷气体(SiH4)、二氯硅烷气体(SiH2Cl2)、氨气(NH3)等有害可燃性气体,或NF3、ClF3、SF6、CHF3、C2F6、CF4等卤素难分解性气体,不能直接向大气中排出。因此,以往,在真空泵装置中,在真空泵的后段设置有对被真空吸引的气体进行无害化处理的除害装置(废气处理装置的一例)。作为气体的无害化处理,公知有使处理气体与液体接触而去除异物及水溶性成分等的湿式、以及基于燃烧处理气体的燃烧式等。
另外,在从真空泵排出的处理气体中,作为反应副生成物,可能混入有因在真空室内的反应等而固态化的物质或容易固态化的物质。当这样的生成物侵入到除害装置时,可能会引起配管及除害装置的堵塞,或除害装置的处理效率的降低。因此,存在在真空泵装置与除害装置之间设置用于去除异物的异物去除机构(废气处理装置的一例)的情况。
作为异物去除机构,能够使用例如过滤器或捕集器等。虽然过滤器或捕集器能够通过简易的结构去除异物,但需要定期性的进行交换过滤器的交换等维护。另外,作为异物去除机构,公知有具备对气体进行搅拌的风扇、驱动风扇的电动机以及喷出液体的喷嘴的风扇洗涤器。在风扇洗涤器中,通过从喷嘴喷出的液体来捕捉异物。风扇洗涤器作为异物去除机构发挥功能,并且还作为废气处理装置发挥功能。
在现有的异物去除机构或除害装置中,凝缩性生成物等异物可能会堆积在该异物去除机构或除害装置发挥功能的部分的上游侧的配管等。为了防止这样的异物向配管的堆积,进行使配管升温、使配管形成湿壁(液面),或通过刮刀等机械性的刮落。这里,在使配管升温的情况下,优选将配管加温至例如150℃以上的高温。但是,在湿式除害装置中,在供给有液体的区域附近,配管的温度因液体而下降,从而异物可能会堆积在该附近。另外,即使在形成湿壁的情况下,凝缩性生成物等异物可能会堆积在该湿壁的上游侧,或者二氯硅烷(SiH2Cl2)等水溶性气体与水发生反应的反应生成物可能会堆积在用于形成湿壁的液体供给部。在与水发生反应的生成物中,可能会生成反应没有完全结束而处于不稳定状态的反应物,具体而言,是产生氢的高反应性的硅氧烷混合物。当在供给有液体的区域附近,通过刮刀等来去除异物时,众所周知,伴随着摩擦产生的静电成为点火源,从而引起火灾的危险。
另外,在异物去除机构或除害装置中,存在为了使装置内使用的液体循环而进行再利用,而设置储存液体的循环箱的情况。在该情况下,存在处理气体与循环箱内的液体发生反应而形成生成物,并且生成物附着于通向循环箱的配管及/或循环箱的壁面的情况。因此,为了防止装置的故障及/或维持装置的处理效率,需要定期地停止装置,并进行用于去除生成物的维护。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-251130号公报
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