[发明专利]像素排布结构、显示装置和色偏补偿方法在审
申请号: | 202010844448.7 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN111969016A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 谢斌 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;G09G3/3225 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230037 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 排布 结构 显示装置 补偿 方法 | ||
本发明实施方式涉及显示技术领域,公开了一种像素排布结构,包括:第一颜色子像素和第二颜色子像素;所述第一颜色子像素的出光衰减速率小于所述第二颜色子像素的出光衰减速率;所述第一颜色子像素包括:多个独立驱动的第一像素块,多个所述第一像素块组合以使所述第一颜色子像素形成不同大小的出光面积,且所述第一颜色子像素的出光面积小于所述第二颜色子像素的出光面积。本发明中像素排布结构、显示装置和色偏补偿方法,利用本方案中的像素排布结构能够改善显示面板的色偏问题。
技术领域
本发明实施方式涉及显示技术领域,特别涉及一种像素排布结构、显示装置和色偏补偿方法。
背景技术
近年来,随着显示技术的进步,有机发光显示器(Organic Light EmittingDiode,OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一,越来越多的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板进入市场,相对于传统的薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFTLCD),AMOLED具有更快的反应速度,更高的对比度以及更广大的视角。且随着显示技术的发展,越来越多的电子设备中开始使用轻薄且抗冲击特性表现良好的可弯折柔性OLED显示面板。
然而,发明人发现现有OLED显示面板在边缘可弯折区的色偏逐渐加重,会有严重的色偏产生,通常为黄色色偏,特别当OLED显示面板显示白色画面时,色偏更为严重,严重影响显示效果。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种像素排布结构、显示装置和色偏补偿方法,利用本方案中的像素排布结构能够改善显示面板的色偏问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种像素排布结构,包括:第一颜色子像素和第二颜色子像素;所述第一颜色子像素的出光衰减速率小于所述第二颜色子像素的出光衰减速率;所述第一颜色子像素包括:多个独立驱动的第一像素块,多个所述第一像素块组合以使所述第一颜色子像素形成不同大小的出光面积,且所述第一颜色子像素的出光面积小于所述第二颜色子像素的出光面积。
可选地,所述第二颜色子像素为蓝色子像素,所述第一颜色子像素为红色子像素或绿色子像素。
可选地,所述像素排布结构还包括:第三颜色子像素,所述第三颜色子像素的出光衰减速率小于所述第一颜色子像素的出光衰减速率;所述第三颜色子像素包括:多个独立驱动的第三像素块,多个所述第三像素块组合以使所述第三颜色子像素形成不同大小的出光面积,且所述第三颜色子像素的出光面积小于所述第一颜色子像素的出光面积。
可选地,多个所述第三像素块拼接后的面积大小,与所述第二颜色子像素的面积大小相同。
可选地,多个所述第一像素块拼接后的面积大小,与所述第二颜色子像素的面积大小相同。
本发明的实施方式还提供了一种显示装置,包括显示面板,所述显示面板包括:基板、位于基板上的若干驱动电路、以及位于所述驱动电路远离所述基板一侧的发光层;所述显示面板包括:可弯折区,所述发光层位于所述可弯折区的部分包括:上述像素排布结构;所述第一颜色子像素与至少两个所述驱动电路连接,且每个所述第一像素块对应连接一所述驱动电路;所述至少两个所述驱动电路用于控制所述第一颜色子像素形成不同大小的出光面积,且所述第一颜色子像素的出光面积小于所述第二颜色子像素的出光面积。
可选地,所述显示装置还包括:与所述驱动电路连接的控制模块;所述控制模块用于获取所述显示面板位于所述可弯折区的部分弯曲时的曲率,并根据所述曲率为所述至少两个所述驱动电路中部分所述驱动电路提供电信号,以使所述第一颜色子像素形成不同大小的出光面积,其中,所述至少两个所述驱动电路与所述显示面板弯曲部位的所述第一颜色子像素相对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的