[发明专利]一种耐高温高强度(Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010842711.9 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN114075078B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 王新刚;王小飞;吴萍;丁浩杰;薛振海;夏金峰;周国红;蒋丹宇 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 郑优丽;牛彦存
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 强度 ti zr hf 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高温高强度 (Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷材料的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷材料的化学组成为(TixZryHfz)C;其中,0.2≤x≤0.4,0.2≤y≤0.4,x+y+z=1,所述制备方法包括:将金属组元对应的氧化物和碳源混合,在真空条件下,金属氧化物和碳源在1300~1700℃反应生成含有贫Ti的(Hf, Zr, Ti)C和富Ti的(Ti, Zr,Hf)C两相的(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体;然后将(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体烧结,得到耐高温高强度 (Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体中贫Ti的(Hf, Zr, Ti)C相和富Ti的(Ti, Zr, Hf)C相为非均相固溶体。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体中富Ti的(Ti, Zr, Hf)C相/(富Ti的(Ti, Zr, Hf)C相+贫Ti的(Hf, Zr, Ti)C相)的质量比是20%以内。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体中富Ti的(Ti, Zr, Hf)C相/(富Ti的(Ti, Zr, Hf)C相+贫Ti的(Hf, Zr, Ti)C相)的质量比为10%以内。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

(1)以TiO2粉、ZrO2粉、HfO2粉和石墨粉为原料,按照反应方程式:xTiO2 + yZrO2 + zHfO2+ uC = (TixZryHfz)C进行配料;其中,0.2≤x≤0.4,0.2≤y≤0.4,x+y+z=1,3.0≤u≤3.3;

(2)将配料后的粉体混合、干燥和过筛后,在真空条件加热至1300~1400℃,保温0.1~2h;然后加热至1500~1700℃保温0.5~4h以合成高纯、细晶粒尺寸的(Ti, Zr, Hf)C基中熵陶瓷复合粉体;

(3)将步骤(2)制备的中熵陶瓷复合粉体研磨后过筛,在真空中加热至1500~1700℃保温0~1h,然后充氩气并轴向加压,在1900~2200℃热压烧结0.1~4h,制得耐高温高强度的(Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述混合采用辊轴式罐磨机进行混料,混料过程中研磨球的质量损失率在1.0wt%以内。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,混料过程中研磨球的质量损失率在0.1wt%以内。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述轴向加压的压力为20~100 MPa,加压速率为1~10 MPa/min。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷材料的平均晶粒尺寸为0.2~5.0μm。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述(Ti, Zr, Hf)C中熵陶瓷材料的平均晶粒尺寸为0.2~3.0μm。

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