[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

形成交错配置的多个第一纳米结构层与多个第二纳米结构层的一第一堆叠与一第二堆叠于一基板上；

分别成长导电形态相反的多个第一外延区与多个第二外延区于该第一堆叠与该第二堆叠上；

分别形成多个第一纳米结构的通道区与多个第二纳米结构的通道区于该第一堆叠与该第二堆叠的所述多个第一纳米结构层与所述多个第二纳米结构层中；以及

形成多个第一全绕式栅极结构与多个第二全绕式栅极结构以分别围绕所述多个第一纳米结构的通道区与所述多个第二纳米结构的通道区，其中形成所述多个第一全绕式栅极结构与所述多个第二全绕式栅极结构的步骤包括：

沉积一栅极介电层以围绕所述多个第一纳米结构的通道区与所述多个第二纳米结构的通道区；

选择性形成一铝为主的n型功函数金属层与一硅为主的盖层于所述多个第一纳米结构的通道区上；

沉积多个双层的无铝p型功函数金属层于所述多个第一纳米结构的通道区与所述多个第二纳米结构的通道区上；

沉积一氟阻挡层于所述多个双层的无铝p型功函数金属层上；以及

沉积一栅极金属填充层于该氟阻挡层上。